Si（111）衬底GaN的MOCVD生长研究

摘要

利用LP—MOCVD在Si（111）衬底上,以高温AIN为缓冲层,分别用低温GaN（LT—GaN）和偏离化学计量比富Ga高温GaN（HT—GaN）为过渡层外延生长六方相GaN薄膜。采用高分辨率双晶X射线衍射（DCXRD），扫描电子显微镜（SEM），原子力显微镜（AFM）和光致荧光光谱（PL）进行分析，结果表明，有偏离化学计量比富Ga HT—GaN为过渡层生长的GaN薄膜质量明显优干以HT—GaN为过渡层生长的GaN薄膜，得到GaN（0002）和（10—12）的DCXRD半高宽（FWHM）分别为698s和842s。