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徐军; 周圣明; 杨卫桥; 夏长泰; 彭观良; 蒋成勇; 周国清; 邓佩珍;
中国科学院上海光学精密机械研究所;
上海201800;
InN; GaN; 宽禁带半导体; 衬底; 光电子材料;
机译:/ c + GaN基质中InN的动态原子层外延:GaN层的'In + N'覆盖率和覆盖时间对有效InN厚度的影响
机译:在+ c-GaN基质上/中的InN的动态原子层外延和精细结构的InN / GaN量子阱的制造的系统研究:高生长温度的作用
机译:在+ c-GaN基质上/中的InN的动态原子层外延和精细结构的InN / GaN量子阱的制造的系统研究:高生长温度下过量In原子的影响
机译:GaN和InN中MOVPE增长的新可能性-GaN中的极化和InN中的氮掺入-
机译:GaN的研究:欧盟&Delta-Inn基于高效长波长发射器的有源区
机译:III-氮化物多晶型物的第一原理研究:PMN21相中的ALN / GAN / INN
机译:Inn Inn In / In + C-GaN基质的动态原子层外延的系统研究与精细结构套/ GaN量子阱的制备:高生长温度的作用
机译:基于熔盐的生长大块GaN和inN用于衬底
机译:使用相同的GaN基半导体晶体生长多晶氮化铝衬底材料制造GaN基半导体的方法和
机译:P通道GaN的InN隧道结触点
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