Institute for Materials Research, Tohoku University;
CREST, Japan Science and Technology Agency 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi Pref., 980-8577 Japan;
nitride semiconductor; GaN; InN; polarity; polarization; InGaN; wide-gap semiconductor; lattice-matching growth; M-plane sapphire;
机译:Pseudomorphic scain / GaN,Gain / Gan,Inain / Gan和Inain / Inn异质结构的极化诱导界面和电子纸张电荷
机译:在+ c-GaN基质上/中的InN的动态原子层外延和精细结构的InN / GaN量子阱的制造的系统研究:高生长温度的作用
机译:在+ c-GaN基质上/中的InN的动态原子层外延和精细结构的InN / GaN量子阱的制造的系统研究:高生长温度下过量In原子的影响
机译:GaN向InN的MOVPE生长
机译:GaN的研究:欧盟&Delta-Inn基于高效长波长发射器的有源区
机译:III-氮化物多晶型物的第一原理研究:PMN21相中的ALN / GAN / INN
机译:Inn Inn In / In + C-GaN基质的动态原子层外延的系统研究与精细结构套/ GaN量子阱的制备:高生长温度的作用
机译:基于熔盐的生长大块GaN和inN用于衬底