Institute for Materials Research, Tohoku University CREST, Japan Science and Technology Agency 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi Pref., 980-8577 Japan;
InN; GaN; polarity; nitride; MOVPE; growth mechanism;
机译:氮化物半导体从GaN到InN的进展-MOVPE的生长和特性
机译:在+ c-GaN基质上/中的InN的动态原子层外延和精细结构的InN / GaN量子阱的制造的系统研究:高生长温度的作用
机译:在+ c-GaN基质上/中的InN的动态原子层外延和精细结构的InN / GaN量子阱的制造的系统研究:高生长温度下过量In原子的影响
机译:Gan To Inn的Movpe-Grower的进展
机译:GaN的研究:欧盟&Delta-Inn基于高效长波长发射器的有源区
机译:III-氮化物多晶型物的第一原理研究:PMN21相中的ALN / GAN / INN
机译:Inn Inn In / In + C-GaN基质的动态原子层外延的系统研究与精细结构套/ GaN量子阱的制备:高生长温度的作用
机译:基于熔盐的生长大块GaN和inN用于衬底