Lehigh University.;
机译:采用可变活性区域改善绿色GaN基发光二极管的内部量子效率
机译:使用隧道结级联有源区提高InGaN / GaN发光二极管效率的起源
机译:使用隧道结级联有源区提高InGaN / GaN发光二极管效率的起源
机译:通过优化有源区来改善GaN基发光二极管的效率下降
机译:使用双极级联有源区的全外延,长波长,垂直腔表面发射激光器,可实现高差分量子效率。
机译:自对准分层ZnO纳米棒/ NiO纳米片阵列用于基于GaN的光子发射极高光子提取效率
机译:减小有效有效区域体积对incAn基发光二极管波长依赖性效率下降的影响