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机译:采用可变活性区域改善绿色GaN基发光二极管的内部量子效率
Ghulam Ishaq Khan Inst Engn Sci &
Technol Fac Engn Sci Topi 23460 Khyber Pakhtunk Pakistan;
Ghulam Ishaq Khan Inst Engn Sci &
Technol Fac Engn Sci Topi 23460 Khyber Pakhtunk Pakistan;
Ghulam Ishaq Khan Inst Engn Sci &
Technol Fac Engn Sci Topi 23460 Khyber Pakhtunk Pakistan;
Meijo Univ Fac Sci &
Technol Tempaku Ku 1-501 Shiogamaguchi Nagoya Aichi 4688502 Japan;
Polish Acad Sci Inst High Pressure Phys Sokolowska 29-37 PL-01142 Warsaw Poland;
机译:采用可变活性区域改善绿色GaN基发光二极管的内部量子效率
机译:通过厚度分级的厚度/最后屏障和组成渐变电子阻挡层,高内部量子效率的绿色GaN基发光二极管
机译:通过在绿色发光二极管中使用有源层友好的晶格匹配的InAlN电子阻挡层来提高量子效率
机译:采用分级孔/屏障/电子阻挡层,增强绿色GaN基发光二极管的内部量子效率
机译:增强氮化物发光二极管和激光二极管的内部量子效率和光学增益。
机译:梯度铟成分p型InGaN层增强GaN基绿色发光二极管的量子效率
机译:渐变铟组合物P型Ingan层的甘油基绿光二极管量子效率提高