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周健华; 周圣明; 邹军; 黄涛华; 徐军; 谢自力; 韩平; 张荣;
中国科学院上海光学精密机械研究所;
南京大学物理系;
r面蓝宝石; γ-LiAlO2; α面GaN; m面GaN;
机译:LiAlO_2(100)衬底上的非极性m平面薄膜GaN和InGaN / GaN发光二极管
机译:基于GaN的HFET盲电流塌陷测量:常关JHFET,在非极性a面GaN衬底上使用HFET,在c-GaN衬底上使用p-GaN栅极
机译:在M-GaN(非极性)和C-GaN(极性)衬底上进行GaN /(In,Ga,Al)N MQW的同质外延生长
机译:以极性,半极性和非极性方向生长的InGaN / GaN多量子阱发光二极管。
机译:Si(100)衬底上的半极性r平面ZnO薄膜:薄膜外延和光学性质
机译:LiAlO2(100)衬底上的非极性m平面薄膜GaN和InGaN / GaN发光二极管
机译:siC衬底上的Ga和N极性GaN生长。
机译:在R平面蓝宝石衬底上制备非极性A平面氮化镓(GAN)薄膜的方法
机译:通过消除生长过程中的氮极性小面而在异质衬底上生长的无堆叠缺陷的半极性和非极性GaN
机译:通过去除氮,在异质衬底上生长的堆叠式无缺陷半极性和非极性GaN
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