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陈德英; 唐国洪;
不详;
PH传感器; 传感器; SDB/SOI;
机译:利用SDB-SOI技术制造高温硅压力传感器
机译:SDB-SOI晶片用于传感器的高温CMOS电路研究
机译:采用45nm CMOS SOI技术的宽带射频功率放大器,其衬底已转移到AlN
机译:用SDB和SIMOX制作具有双SOI结构的高温压力传感器。
机译:引入多孔硅作为牺牲材料,以在SOI晶片的衬底中获得空腔,以及用于MEMS器件的吸气材料
机译:采用氟封端的多晶掺硼金刚石作为pH不敏感溶液门场效应晶体管的全固态pH传感器
机译:采用193 nm浸没式光刻技术制造的300 mm sOI衬底上的高Q光子晶体纳米腔
机译:0.18微米硅锗(siGe)和硅绝缘体(sOI)工艺中的衬底噪声耦合分析
机译:使用SOI衬底的pH传感器及其制造方法
机译:绝缘体上硅(SOI)衬底,制造SOI衬底的方法以及使用该SOI衬底的SOI MOSFET
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