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龚灿锋; 杨德仁; 王晓泉; 席珍强; 汪雷; 阙端麟;
浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027;
硅; 氮化硅; PECVD; 太阳电池; 少子寿命;
机译:沟道宽度和氮化物钝化层对多晶硅薄膜晶体管电学特性的影响
机译:作为晶体硅太阳能电池钝化层的氧化硅和氮化硅涂层的电容电压特性及其抗x辐射稳定性的研究
机译:不同结构的硅薄膜对晶体硅表面钝化的比较研究
机译:晶体硅太阳能电池钝化目的钝化氮化硅膜沉积的轮廓等离子体技术的改进
机译:氮化铝镓/氮化镓高电子迁移率晶体管的表面钝化研究
机译:氮化镓等离子增强原子层沉积对氮化镓基高电子迁移率晶体管的氮化铝表面钝化
机译:掺磷氮化硅薄膜钝化特性的研究
机译:通过氮化硅薄膜沉积研究硅表面钝化:最终报告,1983年9月1日 - 1986年8月31日
机译:氮化硅薄膜的形成方法以及使用该氮化硅薄膜的薄膜晶体管的制造方法
机译:多晶硅硅薄膜形成方法,多晶硅硅薄膜基板,硅薄膜太阳能电池和硅薄膜晶体管器件
机译:形成多晶硅薄膜,多晶硅薄膜硅基板,硅薄膜太阳能电池和硅薄膜晶体管器件的方法
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