提高太阳电池用非晶氢化碳氮化硅薄膜钝化性能的热处理方法

摘要

本发明公布了一种提高太阳电池用非晶氢化碳氮化硅薄膜钝化性能的热处理方法，步骤如下：将采用PECVD双面沉积非晶氢化碳氮化硅薄膜的硅片放在氮气气氛下于550～850℃快速热处理10～80秒，或在空气气氛下于550～850℃快速热处理10～80秒，冷却后拿出。本发明采用热处理时间短、加热速度快以及更易精确控制的快速热处理工艺对沉积有非晶氢化碳氮化硅薄膜的硅片进行热处理，有效地提高了非晶氢化碳氮化硅薄膜的钝化性能。