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公开/公告号CN111509058A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-08-07
原文格式PDF
申请/专利权人 熵熠(上海)能源科技有限公司;
申请/专利号CN202010369109.8
发明设计人 李正平;刘超;杨杰;任栋樑;陈昌明;徐小娜;周国平;
申请日2020-05-02
分类号H01L31/0216(20140101);H01L31/072(20120101);
代理机构31001 上海申汇专利代理有限公司;
代理人徐俊
地址 201100 上海市闵行区平阳路258号1层
入库时间 2023-12-17 11:41:09
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-08-07
公开
机译: //具有透明金属氧化物/金属/透明金属氧化物钝化层的非晶氧化物薄膜晶体管
机译: 具有异质结和掩埋金属化的太阳能电池,由具有不同导电类型的结晶半导体衬底和非晶半导体层制成
机译:氢化非晶亚氧化硅薄膜对异质结太阳能电池的高质量钝化
机译:具有氧化铝钝化层的纳米晶立方碳化硅/硅异质结太阳能电池透明导电氧化物层的开发
机译:外延生长对硅异质结太阳能电池本征非晶氧化硅缓冲层最佳条件的影响
机译:使用本征非晶氧化硅薄膜制造双异质结Ge太阳能电池
机译:半透明氧化锌:低温制备的铝/铜(I)氧化物薄膜异质结:结处本征ZnO缓冲层的作用
机译:使用溶液法低温制造用于非晶铟-镓-氧化锌薄膜晶体管的HfO2钝化层
机译:氢化非晶硅薄膜作为钝化层,用于杂交偏光PECVD用于异质结太阳能电池
机译:Ge衬底上Znse和Zns sub X se sub 1-X外延层的制备和评价,用于表面钝化和异质结器件