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首页> 外文会议>The 22nd International photovoltaic science and engineering conference >Fabrication of double hetero-junction Ge solar cells using intrinsic amorphous silicon oxide thin films
【24h】

Fabrication of double hetero-junction Ge solar cells using intrinsic amorphous silicon oxide thin films

机译：使用本征非晶氧化硅薄膜制造双异质结Ge太阳能电池

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摘要

Germanium solar cells with double hetero (DH) structure were fabricated.Open-circuit voltage (VOC) of 0.216 V was obtained.This value is comparable to the other Ge solar cells[1],suggesting that the DH structure might enhance the Voc.Furthermore,we confirmed the enhancement of VOC in the DH Ge solar cells by a concentrated light.
机译：制备了具有双异质结（DH）结构的锗太阳能电池，得到0.216 V的开路电压（VOC）。该值可与其他Ge太阳能电池[1]相提并论，表明DH结构可能会增强Voc。此外，我们证实了集中光增强了DH Ge太阳能电池中VOC的能力。

著录项

  • 来源
  • 会议地点 Hangzhou(CN)
  • 作者

    Akinori Yamashita; Kotaro Tadokoro; Kazuyoshi Nakada; Yasuyoshi Kurokawa; Akira Yamada;

  • 作者单位

    Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1-NE-16 O-okayama, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan;

    Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1-NE-16 O-okayama, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan;

    Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1-NE-16 O-okayama, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan;

    Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1-NE-16 O-okayama, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan;

    Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1-NE-16 O-okayama, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan;

    Photovoltaics Research Center(PVREC), Tokyo Institute of Technology, 2-12-1-NE-16 O-okayama, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan;

  • 会议组织
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 太阳能技术;
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