掺磷氮化硅薄膜钝化特性的研究

摘要

晶体硅太阳能电池因其原料丰富、光电转换效率较高、稳定性好、工作寿命长、制备技术成熟等优异特性，长久以来一直占据着光伏市场的主导地位。光电转换效率是晶体硅太阳能电池的关键技术指标之一。众所周知，晶体硅表面钝化可以有效地降低太阳电池的表面复合损失，从而显著提高太阳电池的光电转换效率。目前工业界普遍采用PECVD(PlasmaEnhancedChemicalVaoporDeposition)法制备氮化硅薄膜做为晶体硅的表面钝化层。然而，该薄膜中存在的大量正的固定电荷，仅适用于p型衬底的晶体硅太阳电池的表面钝化。目前，以n型硅为衬底的高效率电池正在成为研究热点，因此带负的固定电荷的薄膜对p型硅表面进行...