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冯发明;
华南理工大学;
高应力; AlGaN; HEMT; GaN器件; 失效;
机译:半导通直流应力下AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的失效机理分析
机译:利用水蒸气中的反偏应力探索近紫外AlGaN / GaN发光二极管的失效机理
机译:AlGaN / GaN HEMT器件的降解:反向偏置和热电子应力的作用
机译:通过μ拉曼特性技术研究Algan / GaN HEMT器件通道温度分布
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN量子阱电子阻挡层的AlGaN / GaN HEMT中的高击穿电压
机译:关态应力下AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中渐进式失效位点的产生:Weibull统计和温度依赖性
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管
机译:形成栅极应力的方法,制造AlGaN / GaN-HEMT的方法以及ALGaN / GaN-HEMT
机译:兼容SI-CMOS工艺的Algan / GAN异质结HEMT器件及其制造方法
机译:氟化石墨烯钝化的AlGaN / GaN基HEMT器件及其制造方法
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