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公开/公告号CN113972263A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-25
原文格式PDF
申请/专利权人 南京大学;
申请/专利号CN202111229966.9
发明设计人 陆海;曾昶琨;徐尉宗;任芳芳;周东;
申请日2021-10-20
分类号H01L29/06(20060101);H01L29/778(20060101);H01L21/335(20060101);
代理机构32305 江苏法德东恒律师事务所;
代理人李媛媛
地址 210046 江苏省南京市栖霞区仙林大道163号
入库时间 2023-06-19 14:00:21
机译: 兼容SI-CMOS工艺的Algan / GAN异质结HEMT器件及其制造方法
机译: 氟化石墨烯钝化的AlGaN / GaN基HEMT器件及其制造方法
机译: AlGaN / GaN HEMT器件的制造方法
机译:用不同GaN沟道层厚度对增强型AlGaN / GaN / AlGaN / AlGan双异质结构HEMT的影响
机译:原位钝化与GaN缓冲优化相结合,可在Si(111)上的Si_3N_4 / AlGaN / GaN HEMT器件中实现极低的电流分散和极低的栅极泄漏
机译:结合极性和非极性AlGaN / GaN异质结构的沟槽型沟道增强型AlGaN / GaN MIS HEMT
机译:使用基于物理的紧凑模型对场板增强型AlGaN / GaN HEMT器件进行改进的电荷建模
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN量子阱电子阻挡层的AlGaN / GaN HEMT中的高击穿电压
机译:基于材料和物理尺寸的梯度Algan / GaN HEMT器件性能设计优化
机译:用于GaN,GaN / alGaN和GaN / InGaN核壳纳米线中少数载流子扩散的无接触测量的传输成像。