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目录
1 绪论
1.1研究背景和研究意义
1.3 本论文的组织和结构
2 量子点的特性和自组装生长
2.1 半导体量子点的特性
2.2 量子点的自组装生长
2.3 本章小结
3 MOCVD外延系统与材料表征方法
3.1 MOCVD的概念和生长原理
3.3 材料的表征设备和表征方法3.3.1 高分辨X射线衍射仪
3.4 本章小结
4 InAs/GaAs量子点生长条件的初步探究
4.1 InAs/GaAs量子点基本条件的探究
4.2 InAs/GaAs量子点中大团簇的消除
4.3 本章小结
5 生长条件对InAs/GaAs量子点的密度和尺寸影响的研究
5.1 InAs的生长温度对InAs/GaAs量子点的密度和尺寸的影响
5.2 InAs的沉积量对InAs/GaAs量子点的密度和尺寸的影响
5.3 InAs的V/III对InAs/GaAs量子点的密度和尺寸的影响
5.4 量子点生长后中断时间对InAs/GaAs量子点的密度和尺寸的影响
5.4 本章小结
6 生长条件对InAs/GaAs量子点的成核位置和分布影响的研究
6.1 InAs/GaAs量子点成核位置的研究
6.2 InAs/GaAs量子点的PAI方法生长和优化
6.3 本章小结
7 总结和展望
7.1 全文总结
7.2 研究展望
致谢
参考文献
附录1 攻读学位期间发表论文目录