机译:INASSB / GAAs(001)上平面内超高密度INAS量子点的生长过程和光致发光性质(001)(物理状态Solidi B 4/2018)
机译:InAsSb / GaAs(001)上超高密度(10(12)cm(-2))InAs量子点的自形成及其光致发光特性
机译:GaAsSb / GaAs(001)上平面内超高密度InAs量子点的自形成
机译:在慢速生长条件下分子束外延在(001)和(113)B GaAs衬底上生长的自组装InAs量子点的光致发光特性
机译:用于太阳能电池的GaAsSb / GaAs(001)上的面内超高密度InAs量子点的光致发光特性
机译:用于太阳能电池的高质量InAs / GaAsSb量子点的外延生长。
机译:温度对在图案化GaAs上生长的单个InAs量子点的光致发光特性的影响
机译:纳米线上的位置控制VLS在掩模图案化的GaAs基材上用于轴向盖或INAS异质结构(Physte Solidi A 8/2018)
机译:用于量子信息处理的低密度Inas / Gaas量子点(QD)的生长和表征