GaAs基高密度InAs量子点材料制备与表征

摘要

近年来，由于量子点具有其它体材料所不可比拟的优越性，越来越被人们关注，所以量子点材料的制备和性质的研究，是当今社会最前沿的科学技术，尤其是Ⅲ-Ⅴ族体系的一些材料具有非常广阔的应用前景，需要人们不断去探索。本文是利用MBE生长技术制备高密度GaAs基InAs量子点材料，首先详细的介绍了MBE的具体设备，分析了对量子点形成的影响因素，利用原子力显微镜(AFM)和扫描电镜(SEM)等手段研究了生长条件、生长温度、生长速率、沉积厚度以及砷压对量子点的面密度，平均高度，表面形貌等一些性质的影响，并给出了合理的解释。利用光致发光谱(PL)研究了温度和激发功率的变化对InAs/GaAs量子点材料发光特性的影响。又提出了应变层中In的组分对量子点的均匀性及发光波长的影响，并对影响规律给出了理论解释。