School of Materials Science and Engineering Seoul National University Seoul 151-742 Korea;
4H-SiC; semi-insulating; CVD; BTMSM; t-butylferrocene;
机译:掺铁半绝缘4H-SiC外延层的同质外延生长和电学表征
机译:使用BTMSM源在4°离轴碳面衬底上进行4H-SiC的低温同质外延生长
机译:CH_3Cl和SiCl_4前驱体对4H-SiC的低温同质外延生长
机译:使用BTMSM和叔丁基二茂铁前体同质外延生长掺铁4H-SiC,以实现半绝缘性
机译:氮化镓和氮化铝的同性端生长及其对装置性能的影响
机译:1°偏角的4H-SiC硅面同质外延层生长过程中3C夹杂物形成的抑制
机译:使用BTmsm通过热壁CVD同步生长4H-siC