机译:掺铁半绝缘4H-SiC外延层的同质外延生长和电学表征
机译:同轴钒掺杂半绝缘4H-SiC外延层的CVD生长和性能
机译:用于无铝GaInP / GaInAs高电子迁移率晶体管的铁掺杂半绝缘InP缓冲层的生长和特性
机译:半绝缘GaN外延层上通过分子束外延生长和表征AIGaN / GaN异质结构
机译:使用BTMSM和叔丁基二茂铁前体同质外延生长掺铁4H-SiC,以实现半绝缘性
机译:基于4h-sic n型外延层和cdznte的紧凑型高分辨率辐射探测器的制造与表征。
机译:1°偏角的4H-SiC硅面同质外延层生长过程中3C夹杂物形成的抑制
机译:低压热壁化学气相沉积4H-siC外延层的同质外延生长及表征