机译:接口状态陷阱密度对不同III-V MOSFET架构的性能特征的影响
机译:具有氧化物和界面态的n + sup>金属氧化物半导体电容器的导纳特性建模与分析-In0.53Ga0.47As上的Gd0.25Ga0.15O0.6 / Ga2O3
机译:具有氧化物和界面态-In_(0.53)Ga_(0.47)As上的Gd_(0.25)Ga_(0.15)O_(0.6)/ Ga_2O_3的n〜+金属氧化物半导体电容器的导纳特性建模与分析
机译:III-V MOS电容器的接口阱密度和导纳特性
机译:具有低界面陷阱和低泄漏密度的III-V CMOS上的高比例高介电常数氧化物。
机译:金属氧化物-石墨烯场效应晶体管:界面陷阱密度提取模型
机译:电介质/ III-V半导体接口量化界面陷阱密度的方法比较