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环栅III-V量子阱晶体管及锗无结晶体管及其制造方法

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摘要

本发明提供一种环栅III‑V量子阱晶体管及锗无结晶体管及其制造方法，该器件包括III‑V量子阱晶体管及锗无结晶体管；所述III‑V量子阱晶体管包括：第一Ge带结构、N

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1. 环栅III-V量子阱晶体管及锗无结晶体管及其制造方法 [P] . 中国专利： CN107424994B . 2019.12.17
2. 环栅III-V量子阱晶体管及锗无结晶体管及其制造方法 [P] . 中国专利： CN107424994A . 2017-12-01
3. Junctionless Transistor Based on Vertically Integrated Gate-All-Round Multiple Nanowire Channels and Method of Manufacturing the Same [P] . 美国专利： US2017236901A1 . 2017-08-17

机译：基于垂直集成栅全能多纳米线通道的无结晶体管及其制造方法
4. Implant free quantum well transistor, method for making such an implant free quantum well transistor and use of such an implant free quantum well transistor [P] . 美国专利： US8698129B2 . 2014-04-15

机译：无注入量子阱晶体管，制造这种无注入量子阱晶体管的方法以及这种无注入量子阱晶体管的用途
5. Implant Free Quantum Well Transistor, Method for Making Such an Implant Free Quantum Well Transistor and Use of Such an Implant Free Quantum Well Transistor [P] . 美国专利： US2013161588A1 . 2013-06-27

机译：无植入量子阱晶体管，制造这种无植入量子阱晶体管的方法以及这种无植入量子阱晶体管的使用