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导纳谱研究锗硅单量子阱的退火效应

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利用导纳谱研究了锗硅单量子阱的热稳定性．导纳谱热发射模型的理论模拟和深能级缺陷研究表明：在９００℃以下退火１０分钟，晶格弛豫并不明显，但原子的互扩散引起量子阱中子能级严重降低．同时，我们计算出了原子的互扩散系数，以及单量子阱Ｓｉ／Ｓｉ０．７５Ｇｅ０．２５／Ｓｉ中原子互扩散的热激活能１．０８ｅＶ．

著录项

来源
《半导体学报》 |1998年第1期|66-71|共6页
作者
柯炼; 林峰; 张胜坤; 谌达宇; 陆昉; 王迅;
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作者单位

复旦大学应用表面物理国家重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.11;TN304.12;
关键词
锗; 硅; 单量子阱; 退火效应;

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