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Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics

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1.Area Dependence of Reliability characteristics for Atomic Layer Deposition HfO_2 Film under Static and Dynamic Stress

机译：静态应力下原子层沉积HFO_2膜的可靠性特性的区域依赖性
- 作者：Yi-Lung Cheng;You-Ling Chang;Cheng-Yang Hsieh;Jian-Run Lin
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
2.Local-Loading Effects for Pure-Boron-Layer Chemical-Vapor Deposition

机译：纯硼层化学气相沉积的局部负载效果
- 作者：V. Mohammadi;W.B. de Boer;T.L.M. Scholtes
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
3.Local-Loading Effects for Pure-Boron-Layer Chemical-Vapor Deposition

机译：纯硼层化学气相沉积的局部负载效果
- 作者：V. Mohammadi;W. B. de Boer;T. L. M. Scholtes;L. K. Nanver
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
4.Area Dependence of Reliability characteristics for Atomic Layer Deposition HfO_2 Film under Static and Dynamic Stress

机译：静态应力下原子层沉积HFO_2膜的可靠性特性的区域依赖性
- 作者：Yi-Lung Cheng;You-Ling Chang;Cheng-Yang Hsieh
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
5.Surface Preparation and In/Ga Alloying Effects on InGaAs(001)-(2×4) Surfaces For ALD Gate Oxide Deposition

机译：用于ALD栅极氧化物沉积的InGaAs（001） - （2×4）表面的表面制备和In / Ga合金作用
- 作者：Mary Edmonds;Wilhelm Melitz;Tyler J. Kent;Evgueni Chagarov;Andrew C. Kummel
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
6.Surface Preparation and In/Ga Alloying Effects on InGaAs(001)-(2x4) Surfaces For ALD Gate Oxide Deposition

机译：用于ALD栅极氧化物沉积的InGaAs（001） - （2x4）表面的表面制备和In / Ga合金作用
- 作者：Mary Edmonds;Wilhelm Melitz;Tyler J. Kent
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
7.Investigation of Mg Diffusion in Ta(N) Based Electrodes on HfO_2 for Sub-32nm CMOS Gate-Last Transistors

机译：基于TA（n）电极的MG扩散对SUS-32nm CMOS栅极 - 最后一个晶体管的HFO_2电极MG扩散
- 作者：R. Gassilloud;C. Maunoury;C. Leroux;P. Chevalier;M. Veillerot;C. Dressler;F. Aussenac;F. Martin;S. Maitrejean
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
8.Investigation of Mg Diffusion in Ta(N) Based Electrodes on HfO_2 for Sub-32nm CMOS Gate-Last Transistors

机译：基于TA（n）电极的MG扩散对SUS-32nm CMOS栅极 - 最后一个晶体管的HFO_2电极MG扩散
- 作者：R. Gassilloud;C. Maunoury;C. Leroux
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
9.Characterization of Stress Transfer from Process Induced Stressor Layer to Substrate in MOSFETs

机译：从工艺诱导应力层对MOSFET衬底的应力转移的表征
- 作者：R. Thomas;D. Benoit;A. Pofelski
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
10.Characterization of Stress Transfer from Process Induced Stressor Layer to Substrate in MOSFETs

机译：从工艺诱导应力层对MOSFET衬底的应力转移的表征
- 作者：R. Thomas;D. Benoit;A. Pofelski;L. Clement;P. Morin;D. Cooper;F. Bertin
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
11.Measurement and Identification of Three Contributing Charge Terms in Negative Bias Temperature Instability

机译：在负偏置温度不稳定中测量和识别三个贡献费用
- 作者：C. Mayberry;D. D. Nguyen;C. Kouhestani
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
12.Si nanowire Technology

机译：Sina no wire technology
- 作者：Hiroshi Iwai
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
13.Measurement and Identification of Three Contributing Charge Terms in Negative Bias Temperature Instability

机译：在负偏置温度不稳定中测量和识别三个贡献费用
- 作者：C. Mayberry;D. D. Nguyen;C. Kouhestani;K. E. Kambour;H. P. Hjalmarson;R. A. B. Devine
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
14.Si nanowire Technology

机译：Sina no wire technology
- 作者：Hiroshi Iwai
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
15.MOS interface control of high mobility channel materials for realizing ultrathin EOT gate stacks

机译：MOS界面控制高迁移渠道材料，用于实现超薄EOT栅极堆叠
- 作者：S. Takagi;R. Zhang;R. Suzuki
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
16.MOS interface control of high mobility channel materials for realizing ultrathin EOT gate stacks

机译：MOS界面控制高迁移渠道材料，用于实现超薄EOT栅极堆叠
- 作者：S. Takagi;R. Zhang;R. Suzuki;N. Taoka;M. Yokoyama;M. Takenaka
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
17.Interface Properties of La-silicate MOS Capacitors with Tungsten Carbide Gate Electrode for Scaled EOT

机译：碳化钨栅电极为缩放EOT的La-硅酸盐MOS电容的界面性质
- 作者：K. Tuokedaerhan;R. Tan;K. Kakushima;P. Ahmet;Y. Kataoka;A. Nishiyama;N. Sugii;K. Tsutsui;K. Natori;T. Hattori;H. Iwai
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
18.Interface Properties of La-silicate MOS Capacitors with Tungsten Carbide Gate Electrode for Scaled EOT

机译：碳化钨栅电极为缩放EOT的La-硅酸盐MOS电容的界面性质
- 作者：K. Tuokedaerhan;R. Tan;K. Kakushima
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
19.Process to Etch Ni and Pt Residues during Silicide Contact Electrode Processing Using Low Temperature Aqueous Solutions

机译：使用低温水溶液在硅化物接触电极加工过程中蚀刻Ni和Pt残基的方法
- 作者：A. Duong;C. Fitz;Sven Metzger;Olov Karlsson;John Foster;Greg Nowling;Vincent Sih;Paul Besser
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
20.Theoretical Perspectives in Defect and Impurity Physics toward Materials Design for Oxides

机译：缺陷与杂质物理学对氧化物材料设计的理论观点
- 作者：N. Umezawa
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
21.Theoretical Perspectives in Defect and Impurity Physics toward Materials Design for Oxides

机译：缺陷与杂质物理学对氧化物材料设计的理论观点
- 作者：N. Umezawa
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
22.Process to Etch Ni and Pt Residues during Silicide Contact Electrode Processing Using Low Temperature Aqueous Solutions

机译：使用低温水溶液在硅化物接触电极加工过程中蚀刻Ni和Pt残基的方法
- 作者：A. Duong;C. Fitz;Sven Metzger
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
23.Room temperature ferromagnetism induced by electric field in cobalt-doped TiO_2

机译：钴掺杂TiO_2中电场诱导室温铁磁性
- 作者：T. Fukumura;Y. Yamada;K. Ueno
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
24.Conduction Band offset in GeO_2/Ge Stack Determined by Internal Photoemission Spectroscopy

机译：通过内部光曝光光谱确定的GEO_2 / GE堆栈中的传导带偏移
- 作者：W. F. Zhang;T. Nishimula;K. Nagashio;K. Kita;A. Toriumi
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
25.Interface Dipole Cancellation in SiO_2/High-k/SiO_2/Si Gate Stacks

机译：SIO_2 / HIGH-K / SIO_2 / SI GATE堆栈中的接口偶极取消
- 作者：Shinya Hibino;Tomonori Nishimura;Kosuke Nagashio;Koji Kita;Akira Toriumi
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
26.Room temperature ferromagnetism induced by electric field in cobalt-doped TiO_2

机译：钴掺杂TiO_2中电场诱导室温铁磁性
- 作者：T. Fukumura;Y. Yamada;K. Ueno;H. T. Yuan;H. Shimotani;Y. Iwasa;L. Gu;S. Tsukimoto;Y. Ikuhara;M. Kawasaki
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
27.Conduction Band offset in GeO_2/Ge Stack Determined by Internal Photoemission Spectroscopy

机译：通过内部光曝光光谱确定的GEO_2 / GE堆栈中的传导带偏移
- 作者：W.F. Zhang;T.Nishimula;K. Nagashio
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
28.Interface Dipole Cancellation in SiO_2/High-k/SiO_2/Si Gate Stacks

机译：SIO_2 / HIGH-K / SIO_2 / SI GATE堆栈中的接口偶极取消
- 作者：Shinya Hibino;Tomonori Nishimura;Kosuke Nagashio
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
29.Fabrication of High-quality GOI and SGOI Structures by Rapid Melt Growth Method - Novel Platform for High-mobility Transistors and Photonic Devices

机译：快速熔融生长方法制造高质量的GOI和SGoI结构 - 高迁移晶体管和光子器件的新平台
- 作者：Heiji Watanabe;Yuichiro Suzuki;Shimpei Ogiwara;Nobuaki Kataoka;Tatsuya Hashimoto;Takuji Hosoi;Takayoshi Shimura
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
30.Spacer Thickness Optimization for FinFET-based Logic and Memories: A Device-Circuit Co-design Approach

机译：基于FinFET的逻辑和存储器的间隔厚度优化：一种设备电路共同设计方法
- 作者：Sumeet Kumar Gupta;Kaushik Roy
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
31.Epitaxial Si and Gd_2O_3 Heterostructures - Distributed Bragg Reflectors with Stress Management Function for GaN on Si Light Emitting Devices

机译：外延SI和GD_2O_3异质结构 - 分布式BRAGG反射器，具有用于甘发光器件的GAN的应力管理功能
- 作者：R. Dargis;A. Clark;E. Arkun;R. Roucka;D. Williams;R. Smith;M. Lebby
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
32.Conformal Metal Gate Process Technology for 14nm Logic Node and Below

机译：适用于14nm逻辑节点的保形金属栅极工艺技术
- 作者：A. M. Noori;A. Brand;Y. Lei;M. Chen;W. Tang;X. Lu;X. Fu;S. Ganguli;J. Anthis;D. Thompson;N. Yoshida;M. Xu;M. Allen;H. Yang;J. Gelatos;S. H. Yu;M. Chang;S. Gandikota
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
33.Effect of Erbium Silicide Crystallinity for Low Barrier Contact between Erbium Silicide and n-type Silicon

机译：硅化铒结晶度对硅化铒和N型硅的低阻挡接触的影响
- 作者：Hiroaki Tanaka;Akinobu Teramoto;Shigetoshi Sugawa
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
34.Effect of Erbium Silicide Crystallinity for Low Barrier Contact between Erbium Silicide and n-type Silicon

机译：硅化铒结晶度对硅化铒和N型硅的低阻挡接触的影响
- 作者：Hiroaki Tanaka;Akinobu Teramoto;Shigetoshi Sugawa;Tadahiro Ohmi
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
35.Spacer Thickness Optimization for FinFET-based Logic and Memories: A Device-Circuit Co-design Approach

机译：基于FinFET的逻辑和存储器的间隔厚度优化：一种设备电路共同设计方法
- 作者：Sumeet Kumar Gupta;Kaushik Roy
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
36.Conformal Metal Gate Process Technology for 14nm Logic Node and Below

机译：适用于14nm逻辑节点的保形金属栅极工艺技术
- 作者：A. M. Noori;A. Brand;Y. Lei
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
37.Epitaxial Si and Gd_2O_3 Heterostructures - Distributed Bragg Reflectors with Stress Management Function for GaN on Si Light Emitting Devices

机译：外延SI和GD_2O_3异质结构 - 分布式BRAGG反射器，具有用于甘发光器件的GAN的应力管理功能
- 作者：R. Dargis;A. Clark;E. Arkun
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
38.Fabrication of High-quality GOI and SGOI Structures by Rapid Melt Growth Method - Novel Platform for High-mobility Transistors and Photonic Devices -

机译：快速熔融生长方法制造高质量的GOI和SGO结构 - 高迁移率晶体管和光子器件平台 -
- 作者：Heiji Watanabe;Yuichiro Suzuki;Shimpei Ogiwara
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
39.ALD Grown Functional Oxide Layers for Nonvolatile Resistive Switching Memory Applications

机译：ALD种植功能氧化物层，用于非易失性电阻开关存储器应用
- 作者：Susanne Hoffmann-Eifert;Marcel Reiners;Rainer Waser
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
40.HfO_2-based RRAM for Embedded Nonvolatile Memory: From Materials Science to Integrated 1T1R RRAM Arrays

机译：基于HFO_2的RRAM用于嵌入式非易失性存储器：从材料科学到集成1T1R RRAM阵列
- 作者：T. Bertaud;D. Walczyk;M. Sowinska
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
41.Thiol-Ene Reaction Derived Sol-Gel Hybrid Dielectric Layer for Organic Thin Film Transistors

机译：用于有机薄膜晶体管的硫醇-NEE反应衍生溶胶 - 凝胶混合介电层
- 作者：Joon-Soo Kim;Yongho Kim;Ji-hoon Ko
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
42.HfO_2-based RRAM for Embedded Nonvolatile Memory: From Materials Science to Integrated 1T1R RRAM Arrays

机译：基于HFO_2的RRAM用于嵌入式非易失性存储器：从材料科学到集成1T1R RRAM阵列
- 作者：T. Bertaud;D. Walczyk;M. Sowinska;D. Wolansky;B. Tillack;G. Schoof;V. Stikanov;Ch. Wenger;S. Thiess;T. Schroeder;Ch. Walczyk
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
43.Thiol-Ene Reaction Derived Sol-Gel Hybrid Dielectric Layer for Organic Thin Film Transistors

机译：用于有机薄膜晶体管的硫醇-NEE反应衍生溶胶 - 凝胶混合介电层
- 作者：Joon-Soo Kim;Yongho Kim;Ji-hoon Ko;Byeong-Soo Bae
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
44.ALD Grown Functional Oxide Layers for Nonvolatile Resistive Switching Memory Applications

机译：ALD种植功能氧化物层，用于非易失性电阻开关存储器应用
- 作者：Susanne Hoffmann-Eifert;Marcel Reiners;Rainer Waser
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
45.Band Lineup Issues Related with High-k/SiO_2/Si Stack

机译：带阵容与高K / SIO_2 / SI堆栈相关的问题
- 作者：Jinjuan Xiang;Xiaolei Wang;Tingting Li
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
46.Ultra-Low Switching Power RRAM Using Hopping Conduction Mechanism

机译：超低开关功率RRAM使用跳跃传导机构
- 作者：Albert Chin;C. H. Cheng;Y. C. Chiu;Z. W. Zheng;M. Liu
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
47.Hafnium Oxide based CMOS compatible Ferroelectric Materials

机译：氧化铪基CMOS兼容铁电材料
- 作者：U. Schroeder;D. Martin;J. Mueller;E. Yurchuk;S. Mueller;C. Adelmann;T. Schloesser;R. van Bentum;T. Mikolajick
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
48.Remote scavenging technology using Ti/TiN capping layer interposed in a metal/high-k gate stack

机译：使用Ti / TiN覆盖层插入金属/高k门堆叠的远程清除技术
- 作者：Xueli Ma;Xiaolei Wang;Kai Han
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
49.Hafnium Oxide based CMOS compatible Ferroelectric Materials

机译：氧化铪基CMOS兼容铁电材料
- 作者：U. Schroeder;D. Martin;J. Mueller
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
50.Band Lineup Issues Related with High-k/SiO_2/Si Stack

机译：带阵容与高K / SIO_2 / SI堆栈相关的问题
- 作者：Jinjuan Xiang;Xiaolei Wang;Tingting Li;Chao Zhao;Wenwu Wang;Junfeng Li;Qingqing Liang;Dapeng Chen;Tianchun Ye
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
51.III-V/Oxide Interfaces Investigated With Synchrotron Radiation Photoemission Spectroscopy

机译：III-V /氧化物界面采用同步辐射照相光缩放光谱研究
- 作者：M. Tallarida;C. Adelmann;A. Delabie;S. van Elshocht;M. Caymax;D. Schmeisser
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
52.Remote scavenging technology using Ti/TiN capping layer interposed in a metal/high-k gate stack

机译：使用Ti / TiN覆盖层插入金属/高k门堆叠的远程清除技术
- 作者：Xueli Ma;Xiaolei Wang;Kai Han;Wenwu Wang;Hong Yang;Chao Zhao;Dapeng Chen;Tianchun Ye
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
53.III-V/Oxide Interfaces Investigated With Synchrotron Radiation Photoemission Spectroscopy

机译：III-V /氧化物界面采用同步辐射照相光缩放光谱研究
- 作者：M. Tallarida;C. Adelmann;A. Delabie
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
54.Ultra-Low Switching Power RRAM Using Hopping Conduction Mechanism

机译：超低开关功率RRAM使用跳跃传导机构
- 作者：Albert Chin;C. H. Cheng;Y. C. Chiu
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
55.Dielectric and Magnetic properties of Pb(Fe_(0.5)Nb_(0.5))O_3- Ni_(0.65)Zn_(0.35)Fe_2O_4 Composites

机译：Pb的介电和磁性性能（Fe_（0.5）Nb_（0.5））O_3-Ni_（0.65）Zn_（0.35）FE_2O_4复合材料
- 作者：Dhiren K. Pradhan;Sujit K. Barik;Venkata S. Puli;Satyaprakash Sahoo;Ram S. Katiyar
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
56.SiC MOS Interface States: Similarity and Dissimilarity from Silicon

机译：SIC MOS界面状态：硅的相似性和异化性
- 作者：T. Umeda;R. Kosugi;Y. Sakuma;Y. Satoh;H. Okamoto;S. Harada;T. Ohshima
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
57.Dielectric and Magnetic properties of Pb(Fe_(0.5)Nb_(0.5))O_3 - Ni_(0.65)Zn_(0.35)Fe_2O_4 Composites

机译：Pb的介电和磁性特性（Fe_（0.5）Nb_（0.5））O_3 - Ni_（0.65）Zn_（0.35）FE_2O_4复合材料
- 作者：Dhiren K. Pradhan;Sujit K. Barik;Venkata S. Puli
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
58.Hydrogen interaction with HfO_2 films deposited on Ge(100) and Si(100)

机译：与沉积在GE（100）和Si（100）上的HFO_2膜的氢相互作用
- 作者：G. V. Soares;T. O. Feijo;I. J. R. Baumvol;C. Aguzzoli;C. Krug;C. Radtke
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
59.SiC MOS Interface States: Similarity and Dissimilarity from Silicon

机译：SIC MOS界面状态：硅的相似性和异化性
- 作者：T. Umeda;R. Kosugi;Y. Sakuma
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
60.Roles of target composition on the dielectric property of RF sputtered Bi_2O_3-ZnO-Nb_2O_5 pyrochlore thin film

机译：目标组成对射频溅射的介电性能的作用β0_3-ZnO-Nb_2O_5烧焦薄膜
- 作者：M. H. Lim;B. J. Lee;H. S. Lee
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
61.Correlation between Electrical and Optical Properties of Tantalum Anodic Oxide and Electron Cyclotron Resonance Etching Studies of E-beam Deposited Ta_2O_5 Films

机译：钽阳极氧化物电气和光学性能与电子束沉积Ta_2O_5膜的电子回旋蚀刻研究的相关性
- 作者：A. Kulpa;N. A. F. Jaeger
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
62.Roles of target composition on the dielectric property of RF sputtered Bi_2O_3-ZnO-Nb_2O_5 pyrochlore thin film

机译：目标组成对射频溅射的介电性能的作用β0_3-ZnO-Nb_2O_5烧焦薄膜
- 作者：M. H. Lim;B. J. Lee;H. S. Lee;J. O. Choi;K. H. Ko
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
63.Hydrogen interaction with HfO_2 films deposited on Ge(100) and Si(100)

机译：与沉积在GE（100）和Si（100）上的HFO_2膜的氢相互作用
- 作者：G.V. Soares;T.O. Feijo;I. J. R. Baumvol
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
64.Correlation between Electrical and Optical Properties of Tantalum Anodic Oxide and Electron Cyclotron Resonance Etching Studies of E-beam Deposited Ta_2O_5 Films

机译：钽阳极氧化物电气和光学性能与电子束沉积Ta_2O_5膜的电子回旋蚀刻研究的相关性
- 作者：A. Kulpa;N. A. F. Jaeger
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
65.Independent-Double-Gate FinFET SRAM Technology

机译：独立双栅FINFET SRAM技术
- 作者：K. Endo;S. Ouchi;T. Matsukawa
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
66.Independent-Double-Gate FinFET SRAM Technology

机译：独立双栅FINFET SRAM技术
- 作者：K. Endo;S. Ouchi;T. Matsukawa;Y. Liu;M. Masahara
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
67.Development of Thin Gold Film Tensile Testing by Floating Specimen on Water Surface

机译：水面浮动试样的薄金薄膜拉伸试验的开发
- 作者：Jae-Han Kim;Adeel Nizami;Hak-Joo Lee
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
68.Development of Thin Gold Film Tensile Testing by Floating Specimen on Water Surface

机译：水面浮动试样的薄金薄膜拉伸试验的开发
- 作者：Jae-Han Kim;Adeel Nizami;Hak-Joo Lee;Chang-Su Woo;Seungmin Hyun;Taek-Soo Kim
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
69.Phenomena of Dielectric Capping Layer Insertion into High-K Metal Gate Stacks in Gate-First/Gate-Last Integration

机译：介电封盖层插入到栅极 - 第一/栅极 - 最后一体集成中的高k金属栅极堆叠中的现象
- 作者：H. Jagannathan;P. Jamison;V. K. Paruchuri
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
70.Controlled Lateral Etching of Titanium Nitride in a CMOS Gate Structure using DSP+

机译：使用DSP +控制CMOS栅极结构中氮化钛的横向蚀刻
- 作者：J. Foster;S. Metzger;P. Besser
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
71.The Electrochemical Kinetics of Selectively Corroding Poly-Silicon in Generating Lonely Crater-Defects

机译：选择性腐蚀多晶硅在发电孤独的火山口缺陷中的电化学动力学
- 作者：Lieyi Sheng;Paul Porath;Eddie Glines
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
72.The Electrochemical Kinetics of Selectively Corroding Poly-Silicon in Generating Lonely Crater-Defects

机译：选择性腐蚀多晶硅在发电孤独的火山口缺陷中的电化学动力学
- 作者：Lieyi Sheng;Paul Porath;Eddie Glines
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
73.Controlled Lateral Etching of Titanium Nitride in a CMOS Gate Structure using DSP+

机译：使用DSP +控制CMOS栅极结构中氮化钛的横向蚀刻
- 作者：J. Foster;S. Metzger;P. Besser
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
74.Phenomena of Dielectric Capping Layer Insertion into High-κ Metal Gate Stacks in Gate-First/Gate-Last Integration

机译：在栅极 - 第一/栅极 - 最后一体集成中插入高κ金属栅极堆叠中的介电盖层的现象
- 作者：H. Jagannathan;P. Jamison;V. K. Paruchuri
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
75.MOSFETs on InP substrate with LaAlO_3/HfO_2 bilayer of different LaAlO_3 thickness and single La_xAl_(1-x)O layer with different La doping level

机译：在INP衬底上的MOSFET与LAAL_3 / HFO_2双层不同LAALO_3厚度的双层和单个LA_AL_（1-x）O层，具有不同的LA掺杂水平
- 作者：Yanzhen Wang;Yen-Ting Chen;Fei Xue;Fei Zhou;Yao-Feng Chang;Jack C. Lee
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
76.Effect of In_(0.53)Ga_(0.47)As surface nitridation on electrical characteristics of high-k/capacitors

机译：IN_（0.53）GA_（0.47）的影响为高k /电容器电气特性的表面氮化
- 作者：Y. Suzuki;D. H. Zadeh;K. Kakushima;P. Ahmet;Y. Kataoka;A. Nishiyama;N. Sugii;K. Tsutsui;K. Natori;T. Hattori;H. Iwai
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
77.Effect of In_(0.53)Ga_(0.47)As surface nitridation on electrical characteristics of high-k/capacitors

机译：IN_（0.53）GA_（0.47）的影响为高k /电容器电气特性的表面氮化
- 作者：Y. Suzuki;D. H. Zadeh;K. Kakushima
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
78.Aggressive SiGe Channel Gate Stack Scaling by Remote Oxygen Scavenging: Gate-First pFET Performance and Reliability

机译：通过远程氧气清除的侵略性SiGe通道栅极堆叠：门 - 首先PFET性能和可靠性
- 作者：Martin M. Frank;Eduard A. Cartier;Takashi Ando
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
79.MOSFETs on InP substrate with LaAlO_3/HfO_2 bilayer of different LaAlO_3 thickness and single La_XAl_(1-X)O layer with different La doping level

机译：在INP衬底上的MOSFET与LAAL_3 / HFO_2双层不同LAALO_3厚度的双层和单个LA_AL_（1-x）O层，具有不同的LA掺杂水平
- 作者：Yanzhen Wang;Yen-Ting Chen;Fei Xue
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
80.Strain Effects on Dielectric Properties of Thin, Crystalline Rare Earth Oxides on Silicon

机译：硅晶体稀土氧化物介电性能的应变效应
- 作者：H. Jorg Osten;D. Schwendt
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
81.Schottky Barrier Height at TiN/HfO_2 Interface of TiN/HfO_2/SiO_2/Si Structure

机译：锡/ HFO_2锡/ HFO_2 / SIO_2 / SI结构的肖特基势垒高度
- 作者：K. Han;X. L. Wang;W. W. Wang
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
82.Electrical Characterization and Reliability Assessment of Double-gate FinFETs

机译：双栅鳍码的电气表征及可靠性评估
- 作者：C. D. Young;K. Akarvardar;K. Matthews;M. O. Baykan;J. Pater;I. Ok;T. Ngai;K. W. Ang;M. Minakais;G. Bersuker;S. Deora;C. Hobbs;P. Kirsch;R. Jammy
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
83.Aggressive SiGe Channel Gate Stack Scaling by Remote Oxygen Scavenging: Gate-First pFET Performance and Reliability

机译：通过远程氧气清除的侵略性SiGe通道栅极堆叠：门 - 首先PFET性能和可靠性
- 作者：Martin M. Frank;Eduard A. Cartier;Takashi Ando;Stephen W. Bedell;John Bruley;Yu Zhu;Vijay Narayanan
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
84.Strain Effects on Dielectric Properties of Thin, Crystalline Rare Earth Oxides on Silicon

机译：硅晶体稀土氧化物介电性能的应变效应
- 作者：H. Jorg Osten;D. Schwendt
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
85.Schottky Barrier Height at TiN/HfO_2 Interface of TiN/HfO_2/SiO_2/Si Structure

机译：锡/ HFO_2锡/ HFO_2 / SIO_2 / SI结构的肖特基势垒高度
- 作者：K. Han;X. L. Wang;W. W. Wang;J. Zhang;J. J. Xiang;H. Yang;C. Zhao;D. P. Chen;T. C. Ye
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
86.Electrical Characterization and Reliability Assessment of Double-gate FinFETs

机译：双栅鳍码的电气表征及可靠性评估
- 作者：C. D. Young;K. Akarvardar;K. Matthews
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
87.Comprehensive Study on Chemical Structures of Compositional Transition Layer at SiO_2/Si(100) Interface

机译：SiO_2 / Si（100）界面在组成转变层化学结构综合研究
- 作者：T. Suwa;A. Teramoto;T. Muro
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
88.Comprehensive Study on Chemical Structures of Compositional Transition Layer at SiO_2/Si(100) Interface

机译：SiO_2 / Si（100）界面在组成转变层化学结构综合研究
- 作者：T. Suwa;A. Teramoto;T. Muro;T. Kinoshita;S. Sugawa;T. Hattori;T. Ohmi
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
89.Interface Trap Densities and Admittance Characteristics of III-V MOS capacitors

机译：III-V MOS电容器的接口阱密度和导纳特性
- 作者：S. Stemmer;V. Chobpattana;J. Son;S. Rajan
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
90.Interface Trap Densities and Admittance Characteristics of III-V MOS capacitors

机译：III-V MOS电容器的接口阱密度和导纳特性
- 作者：S. Stemmer;V. Chobpattana;J. Son
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
91.Resistive switching of iron oxide nanoparticles in patterned array structure on flexible substrate

机译：氧化铁纳米粒子在柔性基板上图案阵列结构中的电阻切换
- 作者：J.-D. Kim;J. W. Yoo;Y.-J. Baek
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
92.Resistive switching of iron oxide nanoparticles in patterned array structure on flexible substrate

机译：氧化铁纳米粒子在柔性基板上图案阵列结构中的电阻切换
- 作者：J. D. Kim;J. W. Yoo;Y. J. Baek;H. J. Kim;Q. Hu;C. J. Kang;T. S. Yoon
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
93.A Study of Metal Gates on HfO_2 Using Si Nanowire Field Effect Transistors as Platform

机译：使用Si纳米线场效应晶体管作为平台的HFO_2金属栅极的研究
- 作者：Qiliang Li;Hao Zhu;Hui Yuan;Oleg Kirillov;Dimitris Ioannou;John Suehle;Curt Richter
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
94.A Study of Metal Gates on HfO_2 Using Si Nanowire Field Effect Transistors as Platform

机译：使用Si纳米线场效应晶体管作为平台的HFO_2金属栅极的研究
- 作者：Qiliang Li;Hao Zhu;Hui Yuan
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
95.Current Status of High-k and Metal Gates in CMOS

机译：CMOS中高k和金属门的当前状态
- 作者：G. D. Wilk;M. Verghese;P. J. Chen
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年
96.Current Status of High-k and Metal Gates in CMOS

机译：CMOS中高k和金属门的当前状态
- 作者：G. D. Wilk;M. Verghese;P. J. Chen;J. W. Maes
- 会议名称：《Symposium on Dielectric Materials and Metals for Nanoelectronics and Photonics》 | 2012年