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准平衡模型下脉冲MOS电容器的瞬态特性

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摘要

本文给出了描写脉冲MOS电容器的瞬态特性的微分方程.产生区宽度采用准平衡模型来计算,反型少子的非稳态产生的影响已被计及,文中给出了用Runge-Kutta方法得到的I-t和C-t瞬态特性曲线,并进行了详细讨论.

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来源
《浙江大学学报（理学版）》 |1992年第4期|385|共1页
作者
张秀森;
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作者单位

无;

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正文语种 chi
中图分类脉冲电容器;
关键词
半导体; MOS电容器; 瞬态特性;

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