机译:抑制表面重组结构和表面钝化以提高4H-SiC BJT的电流增益
机译:表面钝化消除晶体取向对4H-SiC BJT电流增益的影响
机译:通过氮化或氮氮化的表面钝化表面钝化来提高4H-SiC BJT的电流增益
机译:表面重组对4H-SiC BJT电流增益的影响
机译:转移衬底HBT技术中改进的电流增益截止频率和高增益带宽放大器。
机译:减少InGaN / GaN微发光二极管疏透缩小量子屏障的替代策略以管理电流展开
机译:4H-siC功率BJT具有高电流增益和低导通电阻
机译:氧化物电荷和表面复合速度对BJT过量电流的影响