University of California, Santa Barbara.;
机译:HBT的复杂电流增益和截止频率确定
机译:具有628 GHz电流截止频率的InP衬底上的30 nm InAs伪形HEMT
机译:电流截止频率为190 GHz的4H-SiC衬底上的AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管
机译:具有250 GHz电流截止频率的转移衬底HBT
机译:使用高增益电流放大器的精密电流镜设计。
机译:CMOS高度线性电流放大器具有电流控制增益用于传感器测量应用
机译:具有高速高增益块的多级放大器的增强方案和回收频率共级电路,提高增益带宽和转换速率
机译:采用Inp台面DHBT技术,在176 GHz时具有7 dB增益的共基极放大器