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Common base amplifier with 7-dB gain at 176 GHz in InP mesa DHBT technology

机译：采用Inp台面DHBT技术，在176 GHz时具有7 dB增益的共基极放大器

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We report common base power amplifiers designed for 140-220 GHz frequency band in InP mesa double heterojunction bipolar transistor (DHBT) technology.

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作者
Paidi, V.; Griffith, Z.; Wei, Y.; Dahlstrom, M.; Parthasarathy, N.; Urteaga, M.; Rodwell, M. J. W.;
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作者单位

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年度 2004
页码 1-4
总页数 4
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类工业技术;
关键词
BIPOLAR TRANSISTORS; FREQUENCIES; HETEROJUNCTIONS; INTEGRATED CIRCUITS; MESAS; MICROWAVE CIRCUITS; POWER AMPLIFIERS; MMIC amplifiers; InP heterojunction bipolar transistor; millimeter-wave amplifier;

机译：双极晶体管;频点;异质结;集成电路; mEsas;微波电路;功率放大器; mmIC放大器; Inp异质结双极晶体管;毫米波放大器;

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Common base amplifier with 7-dB gain at 176 GHz in InP mesa DHBT technology

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