机译:InP-InGaAs DHBT技术中实现高达354 GHz增益带宽积的可变增益放大器的设计
Department of Electrical and Computer Engineering, University of Illinois at Urbana-Champaign, Champaign, IL 61801 USA;
Heterojunction bipolar transistors (HBTs); high-frequency amplifiers; high-speed integrated circuits;
机译:具有410 GHz增益带宽积的DC-92 GHz超宽带高增益InP HEMT放大器
机译:具有4 GHz至8 GHz频率范围内的增益带宽积超过27 GHz的超导量子干扰器件放大器
机译:具有n倍增层的平面InP-InGaAs雪崩光电探测器显示出非常高的增益带宽积
机译:100GHz +增益带宽差分放大器在晶片秤中使用250nm INP DHBT和130nm CMOS的晶片秤内异质集成技术
机译:用于无线传感器网络的高动态范围CMOS可变增益放大器的设计
机译:照相机二极管的增益带宽产品
机译:具有超过27 GHz的超导量子干涉器件放大器 增益带宽产品在4 GHz - 8 GHz频率范围内工作
机译:采用Inp台面DHBT技术,在176 GHz时具有7 dB增益的共基极放大器