双外延基区4H-SiC BJTs的建模与仿真(英文)

张倩; 张玉明; 张义门

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双外延基区4H-SiC BJTs的建模与仿真(英文)

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基于4H-SiC的材料特性,对具有双外延基区结构的4H-SiC双极晶体管进行研究.通过分析该结构在基区内部形成的自建电场以及基区渡越时间,利用正交试验的方法,基于各种器件二维模型,对该器件结构进行数值计算,并进行平均极差分析.计算结果表明,该器件的共发射结电流增益最高可达72,具有负温度系数,并且在一个很宽的集电极电流范围内该特性保持不变.

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来源
《计算物理》 |2010年第5期|771-778|共8页
作者
张倩; 张玉明; 张义门;
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作者单位

西安电子科技大学微电子学院;

宽禁带半导体材料与器件重点实验室;

陕西西安710071;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN324.1;TN325.3;
关键词
4H—SiC; 双极晶体管; 基区自建电场; 基区渡越时间;

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