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机译:外延结复合结构的4H-SiC BJT
University of Electronic Science and Technology of China, People's Republic of China;
机译:4.5kV20mΩ.cm〜2无注入4H-SiC BJT,在结终端扩展上具有沟槽结构
机译:具有多浅沟道结终止扩展的5.8kV无植入4H-SiC BJT
机译:具有改进的结终止扩展的高电压,低导通电阻的4H-SiC BJT
机译:具有改进的结终止扩展的高电压,低导通电阻的4H-SiC BJT
机译:结局终端结构的二维器件模拟确定击穿行为的确定
机译:MgO下层对外延Fe / GaOx /(MgO)/ Fe磁性隧道结结构中GaOx隧道势垒生长的影响
机译:具有多浅沟道结终止扩展的5.8kV无植入4H-SiC BJT