用于提高BJT电流增益的低温注入

摘要

本发明涉及一种形成包括双极结晶体管（BJT）（1002）和金属氧化物半导体（MOS）（1004）晶体管的集成电路的工艺，其通过冷却集成电路衬底至5℃或更低温度，并且同时根据核素种类以指定的最小剂量将掺杂剂注入到BJT的发射极区域和MOS晶体管的源极和漏极中来实现。