机译:界面陷阱和氧化物电荷对隧穿场效应晶体管中漏极电流衰减的影响
机译:界面陷阱对n型金属氧化物半导体场效应晶体管中栅极感应的漏极泄漏电流的影响
机译:栅极电流R.T.S.对45 nm MOS晶体管的氧化物陷阱表征。噪声测量
机译:通过漏极电流噪声测量来表征绝缘体上0.12μm锗化PMOS晶体管的界面氧化物陷阱
机译:利用PMOS晶体管降低2.4 GHz接收器中基板噪声的评估。
机译:用于22nm体PMOS晶体管的HK和MG集成了源极和漏极中的高应变SiGe
机译:界面陷阱和氧化物电荷对隧穿场效应晶体管漏电流的影响