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International Conference on ULtimate Integration of Silicon
International Conference on ULtimate Integration of Silicon
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1.
Organic Electronics
机译:
有机电子产品
作者:
Paul Heremans
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
2.
Modeling Effect of Negative Bias Temperature Instability on Potential Distribution and Degradation of Double-gate MOSFETs
机译:
负偏置温度不稳定性对双栅极MOSFET电位分布和降解的建模效应
作者:
Nayereh Ghobadi
;
Ali Afzali-Kusha
;
Ebrahim Asl-Soleimani
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
关键词:
Negative Bias Temperature Instability;
Modeling;
Double-gate MOSFETs;
Floating body effect;
Poisson's equation;
3.
The disposable Dot FET: A strained silicon channel on top of removed SiGe
机译:
一次性点FET:除去SiGe顶部的紧张硅通道
作者:
J. Gerharz
;
G. Mussler
;
J. Moers
;
G. Rinke
;
St. Trellenkamp
;
D. Grutzmacher
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
4.
Sample variability and time stability in scaled silicon nanowires
机译:
缩放硅纳米线中的样品变异性和时间稳定性
作者:
M. Pierre
;
X. Jehl
;
R. Wacquez
;
M. Vinet
;
M. Sanquer
;
M. Belli
;
E. Prati
;
M. Fanciulli
;
J. Verduijn
;
G. C. Tettamanzi
;
G. P. Lansbergen
;
S. Rogge
;
M. Ruoff
;
M. Fleischer
;
D. Wharam
;
D. Kern
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
5.
Quantum compact model for ultra-narrow body FinFET
机译:
超窄体FINFET量子紧凑型模型
作者:
Mingchun Tang
;
Fabien Pregaldiny
;
Christophe Lallement
;
Jean-Michel Sallese
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
6.
Silicon Spintronics
机译:
硅闪奖
作者:
Ian Appelbaum
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
7.
Characterization of dopant segregated Schottky barrier source/drain contacts
机译:
掺杂剂隔离肖特基势源/漏极触点的表征
作者:
Valur Gudmundsson
;
Per-Erik Hellstrom
;
Shi-Li Zhang
;
Mikael Ostling
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
8.
Impact of TiN metal gate thickness and the HfSiO nitridation on MuGFETs electrical performance
机译:
锡金属栅极厚度和HFSIO氮化对Mugfet电气性能的影响
作者:
M. Rodrigues
;
A. Mercha
;
E. Simoen
;
N. Collaert
;
C. Claeys
;
J. A. Martino
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
9.
Full-3D real-space treatment of surface roughness in double gate MOSFETs
机译:
双闸MOSFET中表面粗糙度的全3D实时处理
作者:
Claudio Buran
;
Marco G. Pala
;
Stefano Poll
;
Mireille Mouis
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
10.
High-K Ta_2O_5 Film for Resistive Switching Memory Application
机译:
用于电阻开关内存应用的高k TA_2O_5薄膜
作者:
Y.-R. Tsai
;
K.-C. Liao
;
S. Maikap
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
11.
Modeling of piezoresistive coefficients in Si hole inversion layers
机译:
Si孔反转层压阻系数的建模
作者:
A. T. Pham
;
C. Jungemann
;
B. Meinerzhagen
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
12.
Pockets Engineering Impact on Mismatch Performance on 45nm MOSFET technologies
机译:
对45NM MOSFET技术的口袋对不匹配性能的影响
作者:
Cecilia M. Mezzomo
;
Cedric Leyris
;
Emmanuel Josse
;
Gerard Ghibaudo
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
13.
Efficient Simulations of 6σ V_T Distributions Due to Random Discrete Dopants
机译:
随机离散掺杂剂的高效模拟6σV_T分布
作者:
Dave Reid
;
Campbell Millar
;
Gareth Roy
;
Scott Roy
;
Asen Asenov
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
14.
Using Low-k Oxide for Reduction of Leakage Current in Double Gate Tunnel FET
机译:
使用低k氧化物来减少双栅极隧道FET中的漏电流
作者:
Mahdi Vadizadeh
;
Morteza Fathipour
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
关键词:
Band to band tunneling;
Work function engineering;
Low-k oxide;
High-k oxide;
15.
Study of New Novel FinFET Device with Its Bodies been Connected
机译:
与其身体相连的新型小型FinFET装置的研究
作者:
Jyi-Tsong Lin
;
Po-Hsieh Lin
;
Yi-Chuen Eng
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
16.
CMOS Sensor Array for Bi-Directional Communication with Electrically Active Cells
机译:
CMOS传感器阵列,用于与电动电池的双向通信
作者:
U.Yegin
;
M. Schindler
;
S. Ingebrandt
;
S. Eick
;
S. K. Kim
;
C. S. Hwang
;
C. Schindler
;
J. Schubert
;
H. Schroeder
;
S. K. Kim
;
A. Offenhauser
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
17.
Using Charge Self-compensation Domino Full-adder with Multiple Supply and Dual Threshold Voltage in 45nm Technology
机译:
在45nm技术中使用电荷自补偿多米诺全加法器具有多种电源和双阈值电压
作者:
Jinhui Wang
;
Wuchen Wu
;
Ligang Hou
;
Shuqin Geng
;
Na Gong
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
18.
Design Considerations for Undoped FinFETs Based on a 3D Compact Model for the Potential Barrier
机译:
基于潜在屏障3D紧凑型模型的未掺杂FinFET的设计考虑因素
作者:
Alexander Kloes
;
Michaela Weidemann
;
Mike Schwarz
;
Thomas Holtij
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
19.
Improvement of performance of Drain-Source-On-Insulator MOSFETs by using heavily doped-Si region between local BOX regions
机译:
通过在局部框区之间使用严重掺杂-SI区域的漏极源 - 绝缘体MOSFET性能的提高
作者:
T. Yamada
;
Y. Miyazawa
;
Y. Nakajima
;
T. Hanajiri
;
T. Toyabe
;
T. Sugano
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
20.
Effective-mass model of surface scattering in locally oxidized Si nanowires
机译:
局部氧化Si纳米线表面散射的有效质量模型
作者:
P. Drouvelis
;
G. Fagas
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
关键词:
Intraband scattering;
Silicon nanowires;
Oxidation;
21.
Advanced SOI CMOS transistor technology for high performance microprocessors
机译:
高级SOI CMOS晶体管技术,用于高性能微处理器
作者:
M. Horstmann
;
M. Wiatr
;
A. Wei
;
J. Hoentschel
;
Th. Feudel
;
Th. Scheiper
;
R. Stephan
;
M. Gerhadt
;
M. Raab
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
22.
Comparison of Advanced Transport Models for Nanoscale nMOSFETs
机译:
纳米级射频高级运输模型的比较
作者:
P. Palestri
;
C. Alexander
;
A. Asenov
;
G. Baccarani
;
A. Bournel
;
M. Braccioli
;
B. Cheng
;
P. Dollfus
;
A. Esposito
;
D. Esseni
;
A. Ghetti
;
C. Fiegna
;
G. Fiori
;
V. Aubry-Fortuna
;
G. Iannaccone
;
A. Martinez
;
B. Majkusiak
;
S. Monfray
;
S. Reggiani
;
C. Riddet
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
23.
Modeling of Metal-Semiconductor Field-Effect-Transistor on H-terminated polycrystalline diamond
机译:
H封端多晶金刚石上的金属半导体场效应晶体管建模
作者:
B. Pasciuto
;
W. Ciccognani
;
E. Limiti
;
P. Calvani
;
M. C. Rossi
;
G. Conte
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
关键词:
Dc and rf performance;
Carbon based electronic;
Device technology;
Electrical characteristics;
Semiconductor devices;
Wide band semiconductors;
Device modeling;
Small-signal equivalent circuit;
24.
Compact Modeling of Quantization Effects for Cylindrical Gate-All-Around MOSFETs
机译:
紧凑的圆柱形门 - 全面MOSFET量化效果的紧凑型效果
作者:
Bastien COUSIN
;
Olivier ROZEAU
;
Marie-Anne JAUD
;
Jalal JOMAAH
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
关键词:
Cylindrical nanowire gate-all-around (GAA) MOSFET;
Compact modeling;
Quantum-mechanical effects (QME);
25.
Impact of Strain on the Performance of high-k/metal replacement gate MOSFETs
机译:
应变对高k /金属更换闸门MOSFET性能的影响
作者:
Xingsheng Wang
;
Scott Roy
;
Asen Asenov
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
26.
Phenomenological Considerations of Resistively Switching TiO_2 in Nano Crossbar Arrays
机译:
纳米交叉阵列中电阻切换TiO_2的现象学考虑
作者:
C. Nauenheim
;
C. Kugeler
;
St. Trellenkamp
;
A. Rudiger
;
R. Waser
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
27.
Nanoscale Ultra Thin Body-Silicon-On-Insulator Field Effect Transistor with Step BOX: Self-heating and Short Channel Effects)
机译:
纳米级超薄车身 - 绝缘体恒温场效应晶体管与阶梯箱:自加热和短频道效果)
作者:
Hamdam GHanatian
;
Morteza Fathipour
;
Hamed Talebi
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
关键词:
Self-heating effect;
Short channel effect;
Step BOX;
Ultra thin body field effect transistor;
28.
Simulation Assessment of Process Options for Advanced CMOS Devices
机译:
高级CMOS设备的过程选项仿真评估
作者:
C. Kampen
;
A. Burenkov
;
J. Lorenz
;
H. Ryssel
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
29.
Investigation of the Vertical IMOS-Transistor by Device Simulation
机译:
通过装置仿真研究垂直IMOS晶体管
作者:
Rainer Kraus
;
Christoph Jungemann
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
30.
Characterisation of CMOS Compatible Vertical MOSFETs with New Architectures through EKV Parameter Extraction and RF Measurement
机译:
CMOS兼容垂直MOSFET的表征通过EKV参数提取和RF测量的新架构
作者:
L. Tan
;
M. M. A. Hakim
;
S. Connor
;
A. Bousquet
;
W. Redman-White
;
P. Ashburn
;
S. Hallf
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
31.
Rare-earth based alternative gate dielectrics for future integration in MOSFETs
机译:
基于稀土的替代栅极电介质,用于未来的MOSFET集成
作者:
J. M. J. Lopes
;
E. Durgun-Ozben
;
M. Roeckerath
;
U. Littmark
;
R. Luptak
;
St. Lenk
;
A. Besmehn
;
U. Breuer
;
J. Schubert
;
S. Mantl
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
32.
Scalability of MSD memory effect
机译:
MSD记忆效应的可扩展性
作者:
A. Hubert
;
S. Cristoloveanu
;
M. Bawedin
;
T. Ernst
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
33.
Integration of Laser-Annealed Junctions in a Low-Temperature High-k Metal-Gate MISFET
机译:
在低温高k金属门MISFET中集成激光退火的连接
作者:
Cleber Biasotto
;
Vladimir Jovanovic
;
Viktor Gonda
;
Johan van der Cingel
;
Silvana Milosavljevic
;
Lis K. Nanver
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
34.
Suppression of DIBL in deca-nano SOI MOSFETs by controlling permittivity and thickness of BOX layers
机译:
通过控制盒层的介电常数和厚度,抑制DEDA-NANO SOI MOSFET中的DIBL
作者:
Shunpei Abe
;
Yoshiyasu Miyazawa
;
Yoshikata Nakajima
;
Tatsuro Hanajiri
;
Toru Toyabe
;
Takuo Sugano
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
35.
Peculiarities of Electrical Properties of Metal-Insulator-Semiconductor Capacitors Based on High-k Dielectric Stack Containing HfTiSiO:N and HfTiO:N Films
机译:
基于HFTISIO的高k电介质叠层金属绝缘体 - 半导体电容器电特性的特性:N和HFTIO:N薄膜
作者:
V. Mikhelashvili
;
P. Thangadurai
;
W. D. Kaplan
;
G. Eisensteinx
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
36.
Static and Low Frequency Noise Characterization of FinFET Devices
机译:
FINFET设备的静态和低频噪声特性
作者:
K. Bennamane
;
T. Boutchacha
;
G. Ghibaudo
;
M. Mouis
;
N. Collaert
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
37.
Interface engineering for the suppression of ambipolar behavior in Schottky-barrier MOSFETs
机译:
围绕肖特基障屏幕MOSFET抑制Ambipolar行为的界面工程
作者:
H. Ghoneim
;
J. Knoch
;
H. Riel
;
D. Webb
;
M. T. Bjork
;
S. Karg
;
E. Lortscher
;
H. Schmid
;
W. Riess
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
38.
A Scalable Architecture of Associative Processors Employing Nano Functional Devices
机译:
采用纳米功能装置的关联处理器的可扩展架构
作者:
Trong Tu Bui
;
Tadashi Shibata
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
39.
Effect of access resistance on apparent mobility reduction in nano-MOSFET
机译:
纳米MOSFET在表观迁移率降低的影响对纳米MOSFET的影响
作者:
K. Huet
;
J. Saint-Martin
;
A. Bournel
;
D. Querlioz
;
P. Dollfus
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
40.
A Compact Physical Model for Subthreshold Current in Nanoscale FD/SOI MOSFETs
机译:
纳米级FD / SOI MOSFET中亚阈值电流的紧凑型物理模型
作者:
Mahdi Moradinasab
;
Behzad Ebrahimi
;
Morteza Fathipour
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
关键词:
Quantum effects;
Silicon-on-insulator (SOI);
Subthreshold current;
Ultra thin body (UTB);
41.
Impact ionization rates for strained SiGe
机译:
应变SiGe的冲击电离速率
作者:
Thanh Viet Dinh
;
Christoph Jungemann
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
42.
MESFETs on H-terminated polycrystalline diamond
机译:
H封端的多晶钻石上的MESFET
作者:
P. Calvani
;
F. Sinisi
;
M. C. Rossi
;
G. Conte
;
E. Giovine
;
W. Ciccognani
;
E. Limiti
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
关键词:
Diamond;
Carbon based electronics;
Device technology;
Electrical characteristics;
Semiconductor devices;
Wide band semiconductors;
43.
Silicon Rich Oxide with controlled mean size of silicon nanocrystals by deposition in multilayers
机译:
富含硅纳米晶体的硅富含氧化物,通过多层沉积
作者:
E. Quiroga
;
W. Bensch
;
M. Aceves
;
Z. Yu
;
J. P. Savy
;
M. Haeckel
;
A. Lechner
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
关键词:
Silicon Rich Oxide;
SRO;
Si nanocrystals;
Size control;
Multilayer;
Raman for size determination;
44.
Scalability of Advanced Partially Depleted n-MOSFET Devices on Biaxial Strained SOI Substrates
机译:
双轴应变SOI基板上先进部分耗尽的N-MOSFET器件的可扩展性
作者:
S. Flachowsky
;
J. Hontschel
;
A. Wei
;
R. Illgen
;
P. Hermann
;
T. Herrmann
;
W. Klix
;
R. Stenzel
;
A. Ramirez
;
M. Horstmann
;
N. Kernevez
;
Cayrefourcq
;
F. Metral
;
M. Kennard
;
E. Guiot
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
45.
Power and Delay Estimation for Dynamic OR Gates with Header and Footer Transistor Based on Wavelet Neural Networks
机译:
基于小波神经网络的动态或栅极的动态或栅极电源和延迟估计
作者:
Jinhui Wang
;
Wuchen Wu
;
Zuo Lei
;
Ligang hou
;
Xiaohong Peng
;
Darning Gao
;
Na Gong
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
46.
Correlation of fin shape fluctuations to FinFET electrical variability and noise margins of 6-T SRAM cells
机译:
翅片形状波动与6-T SRAM细胞噪声边缘的相关性
作者:
Emanuele Baravelli
;
Luca De Marchi
;
Malgorzata Jurczak
;
Nicolo Speciale
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
47.
Accurate effective mobility extraction in SOI MOS transistors
机译:
SOI MOS晶体管中精确有效的迁移率提取
作者:
S. M. Thomas
;
T. E. Whall
;
E. H. C. Parker
;
D. R. Leadley
;
R. J. P. Lander
;
G. Vellianitis
;
J. R. Watling
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
48.
Quantized logic switch implementation through a superconducting transformer
机译:
量化逻辑开关实现通过超导变压器
作者:
C. Kerner
;
D. S. Golubovic
;
B. Hackens
;
S. Poli
;
G. Rens
;
S. Faniel
;
W. Schoenmaker
;
V. Bayof
;
W. Magnus
;
H. Maes
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
49.
A multilayer RRAM nanoarchitecture with resistively switching Ag-doped spin-on glass
机译:
具有电阻切换Ag掺杂旋转玻璃的多层RRAM纳米建筑
作者:
M. Meier
;
R. Rosezin
;
S. Gilles
;
A. Rudiger
;
C. Kugeler
;
R. Waser
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
关键词:
Multilayer memory devices;
Methyl-silsesquioxane;
Nanoimprint lithography;
Resistive switching;
50.
Basic insight about the strain engineering of n-type FinFETs
机译:
关于N型FinFET应变工程的基本洞察
作者:
N. Serra
;
D. Esseni
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
51.
Valley Splitting in Thin Silicon Films from a Two-Band k·p Model
机译:
谷在两频段K·P型号中分裂薄硅膜
作者:
V. Sverdlov
;
T. Windbacher
;
O. Baumgartner
;
F. Schanovsky
;
S. Selberherr
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
52.
Underlap Channel UTBB MOSFETs for Low-Power Analog/RF Applications
机译:
用于低功耗模拟/射频应用的底层通道UTBB MOSFET
作者:
A. Kranti
;
S. Burignat
;
J.-P. Raskin
;
G. A. Armstrong
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
关键词:
Underlap channel architecture;
Analog/RF;
SOI MOSFETs;
Low-voltage applications;
Cut-off frequency;
Voltage gain;
53.
Detection of Strain Minimization in Hf-based Gate Dielectrics by X-ray Absorption and Non-Linear Optical Second Harmonic Generation Spectroscopy
机译:
X射线吸收和非线性光学二次谐波产生光谱法检测HF基栅电介质中的应变最小化
作者:
K. Gundogdu
;
G. Lucovsky
;
K.-B. Chung
;
J. Kim
;
D. Nordlund
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
54.
Electrical Characteristics of Atomic Layer Deposited Aluminium Oxide and Lanthanum-Zirconium Oxide High-k Dielectric Stacks
机译:
原子层沉积氧化铝和镧 - 氧化锆高k介电堆的电特性
作者:
S. Abermann
;
C. Henkel
;
O. Bethge
;
E. Bertagnolli
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
关键词:
Germanium;
Silicon;
Aluminum oxide;
Lanthanum oxide;
Zirconium oxide;
Electrical characteristics;
MOS capacitors;
55.
A Comparative Study of Non-melt Laser Spike Annealing and Flash Lamp Annealing in Terms of Transistor Performance and Pattern Effects on SOI-CMOSFETs for the 32 nm Node and Below
机译:
在晶体管性能方面的非熔体激光尖峰退火和闪光灯退火的比较研究和32nm节点和下面的SOI-CMOSFET的模式效应
作者:
R. Illgen
;
S. Flachowsky
;
T. Herrmann
;
T. Feudel
;
D. Thron
;
B. Bayha
;
W. Klix
;
M. Horstmann
;
R. Stenzel
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
56.
Stable, Low power and High Performance SRAM based on CNFET
机译:
基于CNFET的稳定,低功耗和高性能SRAM
作者:
Mahdi Moradinasab
;
Morteza Fathipour
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
关键词:
CNFET;
Backgate voltage;
SRAM;
Low power;
High performance;
Nano electronics;
57.
Carbon-based thermal stabilization techniques for junction and silicide engineering for high performance CMOS periphery in memory applications
机译:
用于内存应用中高性能CMOS外围的结基和硅化物工程的碳的热稳定技术
作者:
C. Ortolland
;
S. Mathew
;
R. Duffy
;
K. Saino
;
C. S. Kim
;
S. Mertens
;
N. Horiguchi
;
C. Vrancken
;
T. Chiarella
;
C. Kerner
;
P. P. Absil
;
A. Lauwers
;
S. Biesemans
;
T. Hoffmann
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
58.
A Quantum Transport Approach to the Calculation of Gate Tunnelling Current in Nano-Scale FD SOI MOSFETs
机译:
纳米级FD SOI MOSFET栅极隧道电流计算量子传输方法
作者:
Fargol Hasani
;
Morteza Fathipour
;
Fatemeh Karimi
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
关键词:
Nanotransistor;
Modeling;
Dissipative transport;
Scattering self energy;
Gate tunneling current;
59.
Discussion of origins of high-density trap states in SIMOX wafers
机译:
SIMOX晶片中高密度陷阱状态的起源探讨
作者:
Yoshikata Nakajima
;
Takahiro Toda
;
Tatsuro Hanajiri
;
Toru Toyabe
;
Takuo Sugano
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
60.
Impact of strain on p-DGMOS performance using full-band Monte Carlo simulation
机译:
全带蒙特卡罗模拟对P-DGMOS性能应变对P-DGMOS性能的影响
作者:
V. Aubry-Fortuna
;
K. Huet
;
A. Bournel
;
D. Rideau
;
C. Chassat
;
P. Dollfus
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
61.
Computational Exploration of Novel Silicon Nanostructures
机译:
新型硅纳米结构的计算探索
作者:
Kengo Nishio
;
Taisuke Ozaki
;
Tetsuya Morishita
;
Wataru Shinoda
;
Masuhiro Mikami
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
62.
NBTI Tolerant 4T Double-Gate SRAM Design
机译:
NBTI宽容4T双门SRAM设计
作者:
Behzad Ebrahimi
;
Ali Afzali-Kusha
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
关键词:
4T SRAM;
Double-gate;
NBTI;
Reliability aware design;
63.
High Performance Schottky Barrier MOSFETs on UTB SOI
机译:
UTB SOI高性能肖特基障屏MOSFET
作者:
C. Urban
;
C. Sandow
;
Q.-T. Zhao
;
S. Mantl
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
64.
A Nano-Functional-Device-Based Image Feature Extraction Circuitry With Current-Balancing Feedback
机译:
基于纳米功能的装置的图像特征提取电路,具有电流平衡反馈
作者:
Kazuma Yoshii
;
Tadashi Shibata
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
65.
Impact of sputter deposited TaN and TiN metal gates on ZrO_2/Ge and ZrO_2/Si high-k dielectric gate stacks
机译:
溅射沉积的棕褐色和锡金属门对ZrO_2 / GE和ZrO_2 / Si高k电介质栅极堆的影响
作者:
C. Henkel
;
S. Abermann
;
O. Bethge
;
P. Klang
;
E. Bertagnolli
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
66.
Intrinsic Cut Off Frequency of Si and GaAs Based Resonant Tunneling Diodes
机译:
基于Si的固有切断频率和基于GaAs的谐振隧道二极管
作者:
E. Buccafurri
;
R. Clerc
;
F. Calmon
;
M. Pala
;
A. Poncet
;
G. Ghibaudo
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
67.
Exhaustive Experimental Study of Tunnel Field Effect Transistors (TFETs): From Materials to Architecture
机译:
隧道场效应晶体管(TFETs)的详尽实验研究:从材料到架构
作者:
C. Le Royer
;
F. Mayer
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
68.
A Parzen-Window Classifier Architecture for Massively-Integrated Nanoscale Resonant Devices
机译:
用于大型纳米级谐振装置的Parzen-Window型架构
作者:
Kyunghee Kang
;
Tadashi Shibata
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
69.
Simulation Study of Graphene Nanoribbon Tunneling Transistors Including Edge Roughness Effects
机译:
石墨烯纳米隧道隧道晶体管的仿真研究,包括边缘粗糙度效应
作者:
Roberto Grassi
;
Antonio Gnudi
;
Susanna Reggiani
;
Elena Gnani
;
Giorgio Baccarani
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
70.
An Efficient Threshold Voltage Model for Ultra Thin Body Double Gate/SOI MOSFETs
机译:
超薄体双栅极/ SOI MOSFET的有效阈值电压模型
作者:
Saeed Mohammadi
;
Ali Afzali-Kusha
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
71.
A Novel Structure for Improvement the I_(on)/I_(off) Ratio in Nano-Scale Double Gate Source- Heterojunction-MOS-Transistor
机译:
一种改进纳米级双栅极源 - 异质结 - 晶体管中的I_(上)/ I_(OFF)比的新颖结构
作者:
Mahsa Tahermaram
;
Mahdi Vadizadeh
;
Morteza Fathipour
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
关键词:
Band offset energy;
Band to band generation;
GIDL;
Heterojunction;
Off-state current;
SHOT;
72.
A Unified Density Gradient Approach to 'ab-initio' Ionised Impurity Scattering in 3D MC Simulations of Nano-CMOS Variability
机译:
纳米CMOS可变性三维MC模拟中“AB-Initio”电离杂质散射的统一密度梯度方法
作者:
C. Alexander
;
U. Kovac
;
G. Roy
;
S. Roy
;
A. Asenov
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
73.
Spectroscopic detection of (i) intrinsic band edge defects, and (ii) transition metal (TM) and rare earth lanthanide (REL) atom occupied states in elemental and complex oxides: a novel pathway to (i) device reliability and (ii) increased functionality in
机译:
(I)内在带边缘缺陷的光谱检测,(II)过渡金属(TM)和稀土镧系元素(Rel)原子占据了元素和复合氧化物的状态:(i)器件可靠性的新途径和(ii)增加功能in.
作者:
Gerald Lucovsky
;
Hyungtak Seo
;
Kwun-Bum Chung
;
Jinwu Kim
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
74.
Interface oxide trap characterisation in germanium-on-insulator 0.12 μm PMOS transistors by drain current noise measurements
机译:
通过漏极电流噪声测量界面在绝缘体上的界面氧化物阱表征0.12μmPMOS晶体管
作者:
J. Gyani
;
S. Soliveres
;
F. Martinez
;
M. Valenza
;
C. Le Royer
;
E. Augendre
;
K. Romanjek
;
Charlotte Drazek
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
75.
Performance enhancement of uniaxially-tensile strained Si NW-nFETs fabricated by lateral strain relaxation of SSOI
机译:
SSOI侧株松弛制造的单轴拉伸应变性Si NFET的性能增强
作者:
S. F. Feste
;
J. Knoch
;
S. Habicht
;
D. Buca
;
Q. T. Zhao
;
S. Mantl
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
76.
Mobility Extraction of UTB n-MOSFETs down to 0.9 nm SOI thickness
机译:
UTB N-MOSFET的迁移率提取至0.9nm SOI厚度
作者:
M. Schmidt
;
M. C. Lemme
;
H. D. B. Gottlob
;
H. Kurz
;
F. Driussi
;
L. Selmi
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
77.
Quantization Effects in Silicided and Metal GateMOSFETs
机译:
硅化和金属Gatemosfets的量化效应
作者:
N. Rodriguez
;
F. Gamiz
;
R. Clerc
;
C. Sampedro
;
A. Godoy
;
G. Ghibaudo
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
78.
Implementing Brain-Like Systems Using Nano Functional Devices
机译:
使用纳米功能装置实现脑状系统
作者:
Tadashi SHIBATA
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
关键词:
Nano device;
Resonance characteristics;
Brain computing;
Image recognition;
Associative processor;
Psychological inspiration;
Analog VLSI;
79.
Analytical Modeling of Negative Bias Temperature Instability in Triple Gate MOSFETs
机译:
三栅极MOSFET中负偏置温度不稳定性的分析模型
作者:
Nayereh Ghobadi
;
Ali Afzali-Kusha
;
Ebrahim Asl-Soleimani
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
关键词:
Negative Bias Temperature Instability;
Analytical Modeling;
Triple Gate MOSFETs;
Reaction-Diffusion (R-D) model;
80.
Silicon nanowire pinch-off FET: Basic operation and analytical model
机译:
硅纳米线捏 - FET:基本操作和分析模型
作者:
Bart Soree
;
Wim Magnus
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
81.
Ge and III/V devices for advanced CMOS
机译:
GE和III / V用于高级CMOS的设备
作者:
Marc Heyns
;
Christoph Adelmann
;
Guy Brammertz
;
David Brunco
;
Matty Caymax
;
Brice De Jaeger
;
Annelies Delabie
;
Geert Eneman
;
Michel Houssa
;
Dennis Lin
;
Koen Martens
;
Clement Merckling
;
Marc Meuris
;
Jerome Mittard
;
Julien Penaud
;
Geoffrey Pourtois
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
82.
V_(th)-Control Method in Double Gate Field Effect Transistor Domino Circuits
机译:
双栅极场效应晶体管Domino电路中的v_(th)-control方法
作者:
Saeed Zeinolabedinzadeh
;
Behzad Ebrahimi
;
Ali Afzali-Kusha
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
关键词:
V_(th)-control method;
Domino logic;
Double-gate field effect transistors;
83.
A Surface Field Based Model for Ultra Thin Body Undoped Symmetric DG MOSFETs
机译:
基于表面场的超薄体外对称DG MOSFET模型
作者:
Saeed Mohammadi
;
Ali Afzali-Kusha
会议名称:
《International Conference on ULtimate Integration of Silicon》
|
2009年
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