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Cmos device with an nmos transistor with recessed drain and source areas and a pmos transistor with a silicon/germanium alloy in the drain and source areas

机译:Cmos装置的NMOS晶体管的漏极和源极区域凹陷,而Pmos晶体管的漏极和源极区域带有硅/锗合金

摘要

机译:

著录项

  • 公开/公告号GB2470523B

    专利类型

  • 公开/公告日2012-03-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ADVANCED MICRO DEVICES INC;

    申请/专利号GB20100014807

  • 发明设计人 JAN HOENTSCHEL;UWE GRIEBENOW;ANDY WEI;

    申请日2009-02-27

  • 分类号H01L21/8238;H01L21/336;H01L21/84;

  • 国家 GB

  • 入库时间 2022-08-21 17:03:30

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