quantum dots (QDs); InAs; photoluminescence (PL); misorientated substrate; surfactant layer;
机译:ln_(0.1)Ga_(0.9)As / GaAs多层焦平面阵列覆盖的InAs量子点的光电特性和成像性能研究
机译:In_(0.1)Ga_(0.9)N / GaN量子阱中俄歇复合的直接测量及其对In_(0.1)Ga_(0.9)N / GaN多量子阱发光二极管效率的影响
机译:生长后退火对四元In_(0.21)Al_(0.21)Ga_(0.58)的35层In_(0.50)Ga_(0.50)As / GaAs量子点红外光电探测器的材料和器件特性的影响的详细研究封顶
机译:INAS量子点对IN_(0.1)GA_(0.9)的INAS量子点作为表面活性剂层和10°偏角(100)GaAs衬底的研究
机译:InAs / GaAs量子点太阳能电池和InAs纳米线在光伏器件中的应用的光学和机械研究。
机译:InAs / GaAs量子点尺寸研究:取决于应变减小层的位置
机译:INAS量子点对IN0.1GA0.9AS表面活性剂层和10O离角(100)GaAs衬底的研究