机译:低温操作中晕圈注入对0.13μm浮体部分耗尽的SOI n-MOSFET的影响
机译:具有浮体的0.13μm部分耗尽SOI nMOSFET的低温工作
机译:模拟完全耗尽,部分耗尽和人体接地的SOI MOSFET的浮体效应
机译:在低温操作中对0.13μm浮体部分耗尽的SOI N-MOSFET的光晕效应
机译:纳米栅极长度部分耗尽硅-NON-insulator CMOS器件和电路中浮体效应的分析,建模和控制
机译:富锂和富锰的温度控制合成Li1.2Mn0.54Ni0.13Co0.13O2高性能空心/亚微球电极锂离子电池
机译:HaLO植入对部分sOI晶体管寿命评估的影响