MOCVD; GaN; HEMT; ICP; mesa; etching; etch rate; roughness;
机译:Cl_2 / Ar / BCl_3电感耦合等离子体对GaN / AlGaN异质结构的非选择性刻蚀
机译:Cl_2 / BCl_3和Cl_2 / Ar电感耦合等离子体刻蚀GaN薄膜的特性
机译:基于Cl_2 / Ar的电感耦合等离子体刻蚀中的GaN刻蚀速率和表面粗糙度演变
机译:基于CL_2 / AR的GaN / AlGaN结构的电感耦合等离子体蚀刻
机译:在感应耦合等离子体反应器中研究碳氟化合物沉积和蚀刻对硅和二氧化硅蚀刻工艺的影响(使用三氟化甲基),并开发了用于研究等离子体与表面相互作用机理的反应离子束系统。
机译:不同氟基混合气体使用电感耦合等离子体干法刻蚀钛酸钡薄膜的比较分析
机译:Al2O3 / AlGaN / GaN结构中的界面陷阱态是通过感应耦合等离子体蚀刻AlGaN表面引起的