基于AlGaN/GaN异质结构的肖特基整流器制备及其特性

摘要

利用金属有机化学气相沉淀设备外延生长了AlGaN/GaN异质结构材料,基于其研制出GaN基肖特基平面二极管。测量结果显示,室温下器件的反向击穿电压达大于1100V,反向偏压1100V时器件的反向漏电流低于30nA；计算得出器件的比导通电阻为9mΩ·cm2;外加正向偏压2V时器件的正向电流密度达到100A/cm2。器件具有良好的击穿特性以及低的通态损耗,可在电力电子领域进行应用。