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毕叔和;
无;
AlGaN; 氮化镓; 激光器; Ⅲ-Ⅴ族; 化合物半导体;
机译:以AlGaN为缓冲层的AlGaN / AlN / GaN / AlGaN双异质结结构的双极特性
机译:Si衬底上的AlGaN / GaN单异质结构和AlGaN / GaN / AlGaN双异质结构场效应晶体管的材料生长和器件表征
机译:氨MBE生长的双异质结AlGaN / GaN / AlGaN HEMT异质结构的光致发光,受激发射,光反射和2DEG特性的研究
机译:AlGaN /(In)GaN / AlGaN双异质结构场效应晶体管中的二维电子气传输特性
机译:高性能紫外线光电探测器和LED和光电探测器的单片集成在SI上生长的P-GAN / AlGaN / GaN异质结构上的LED和PhotoTopetector
机译:质子辐照对常断型AlGaN / GaN栅嵌入式金属-绝缘体-半导体异质结构场效应晶体管随时间变化的介电击穿特性的影响
机译:在静水压力下具有变化的AlGaN厚度和成分的GaN / AlGaN / GaN双异质结构的电流与电压特性
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管
机译:具有AlGaN / GaN异质结构和异质结构场效应晶体管的半导体衬底
机译:具有Algan / GAN异质结构和异质结构场效应晶体管的半导体基质
机译:使用ZnO功能化的AlGaN / GaN异质结构晶体管的热稳定氨气传感器
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