sublimation; PVT; inserted epitaxial layer; growth rate; crystal quality;
机译:物理气相传输法研究SiC单晶生长的种子极性
机译:通过杂化方法生长的4H-SiC晶体中的螺纹螺纹脱位的大规模降低与较高偏角基材上的溶液生长和物理蒸汽输送生长结合
机译:4H-SiC单晶物理气相传输生长的晶种过程的结构研究
机译:由物理蒸汽运输方法的用于SiC单晶生长的插入外延层
机译:基于4H-SiC N型外延层和像素Cdznte单晶装置的高分辨率辐射检测器
机译:AlN晶体生长的物理气相传输方法
机译:由物理蒸汽运输方法生长的SiC单晶中的热弹性应力
机译:物理气相传输制备的4H和6H siC单晶(0001)面上的努氏硬度。