Knoop Hardness on the (0001) Plane of 4H and 6H SiC Single Crystals Fabricated by Physical Vapor Transport.

著录项

• 作者

  Swab, J. J.; McCauley, J. W.; Butler, B.; Snoha, D.; Harris, D.;

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• 作者单位

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• 年度 2014
• 页码 1-20
• 总页数 20
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类
• 关键词

  Crystal structure; Single crystals; Hardness; Room temperature; Silicon carbides; Knoop hardness; Physical vapor transport;

  机译：晶体结构;单晶;硬度;室温;碳化硅;努氏硬度;物理气相传输;