Three-dimensional displays; Random access memory; Computer architecture; Performance evaluation; Reliability; MOSFET; Epitaxial growth;
机译:基于碳纳米管的CMOS SRAM:1 kbit 6T SRAM阵列和10T SRAM单元
机译:用于地面环境的65nm CMOS 6T和8T SRAM单元的单个事件UPSET表征
机译:用于深纳米CMOS的6T SRAM单元中通过设计参数精确进行Alpha-SER建模和优化的实验方法
机译:使用3D顺序集成的CMOS 6T SRAM单元致密
机译:基于7NM FinFET的6T SRAM细胞瞬态和DC分析性能分析
机译:采用纯CMOS逻辑工艺的具有自抑制电阻切换负载的RRAM集成4T SRAM
机译:用于65 nm CMOS技术中亚阈值操作的6T和10T SRAM单元的比较分析