Electrostatic discharges; CMOS process; Thyristors; Robustness; Nanoscale devices; Simulation; Receivers;
机译:在65 nm CMOS工艺中用于60 GHz RF电路的可配置ESD保护单元的设计和实现
机译:SiGe BiCMOS工艺中用于射频电路的具有超低漏电流二极管串的ESD保护设计
机译:亚微米CMOS工艺中栅极驱动的NMOS ESD保护电路的设计方法和优化
机译:纳米级CMOS过程中高速电路的ESD保护设计
机译:CMOS技术中的宽带射频集成电路的设计和ESD保护。
机译:具有嵌入式PMOSFET的鲁棒和锁定的免疫LVTSCR器件用于28 nm CMOS过程中的ESD保护
机译:设计避免深亚微米CmOs工艺中对EsD保护电路的过栅驱动效应
机译:耐辐射电路采用2个商用0.25(微)CmOs工艺设计