一种基于CMOS工艺的ESD防护电路及结构

摘要

本发明公开了一种基于CMOS工艺的ESD防护电路，包括预驱动端、驱动管、保护电路、输入/输出接口端和内部信号端，所述预驱动端的输出端与所述驱动管的输入端连接，所述驱动管的输出端与所述保护电路的输入端连接，所述保护电路的输出端与所述输入/输出接口端连接，所述内部信号端通过连接所述保护电路与所述输入/输出接口端连接。本发明还公开了一种基于CMOS工艺的ESD防护结构，包括衬底、阱区、晶体管、二极管、电阻和PAD层。本发明涉及集成电路技术领域，一种基于CMOS工艺的ESD防护电路及结构，保护电路中的二极管与电源反接，利用二极管的反向击穿来保护输入/输出接口端不受高压静电的伤害，实现低功耗并提高抗静电能力。