indium compounds; III-V semiconductors; semiconductor quantum dots; semiconductor epitaxial layers; MOCVD; semiconductor growth; sputter etching; InAs quantum dots epitaxial growth; Si doped GaAs substrate; metal organic chemical vapor deposition; wet ch;
机译:通过金属有机化学气相沉积通过脉冲原子层外延在邻近GaAs(100)衬底上形成均匀的InAs量子点
机译:金属有机化学气相沉积在GaAs上InAs量子点的生长机理
机译:Ge / Si衬底上高密度InAs / Sb:GaAs量子点的金属有机化学气相沉积生长及其室温电致发光
机译:金属 - 有机化学气相沉积在图案GaAs底物上的InAS量子点的选择性生长
机译:通过金属有机化学气相沉积,铝镓砷镓/镓砷化镓梯度阻隔量子阱异质结构激光
机译:通过使用金属有机化学气相沉积法简单地改变V / III比可实现宽范围可调密度的InAs / GaAs量子点
机译:通过使用金属有机化学气相沉积法简单地改变V / III比,可实现宽范围可调密度的InAs / GaAs量子点