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【24h】

Selective growth of InAs quantum dots on patterned GaAs substrate by metal-organic chemical vapor deposition

机译:通过金属有机化学气相沉积在图案化的GaAs衬底上选择性生长InAs量子点

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摘要

In this paper, we demonstrate quantum dots (QDs) on nano-scale mesa using wet chemical etching and epitaxial growth process on Si-doped GaAs substrates.
机译:在本文中,我们在掺Si的GaAs衬底上使用湿法化学刻蚀和外延生长工艺演示了纳米尺度台面上的量子点(QD)。

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