Cree Inc., 4600 Silicon Dr., Durham, NC 27703;
GaN HEMT; RF; Class-E; high-efficiency; switch-mode;
机译:使用0.25μmALGaN / GaN HEMT技术在SiC衬底上的X波段MMIC低噪声放大器MMIC
机译:s.i.上的GaN / AlGaN HEMT混合和MMIC微带功率放大器SiC基板
机译:基于AlGaN / GaN / SiC HEMT层结构的AlGaN / GaN双色光电探测器
机译:使用AlGaN / GaN Hemts对SIC的高效放大器
机译:GaN-SiC界面处具有GaN微坑的AlGaN / GaN HEMT中的散热分析
机译:在6英寸N掺杂的低电阻率SiC基板上的常压P-GaN栅极AlGaN / GaN Hemts的高热耗散
机译:Si或SiC衬底上的AlGaN / GaN HEMT的噪声评估:在X波段低噪声放大器中的应用