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目录
第一章 绪 论
1.1半导体功率器件的发展历程
1.2 国内外AlGaN/GaN HEMT建模领域的发展
1.3 GaN功率器件模型存在的问题
1.4 本篇论文的研究任务及意义
第二章 AlGaN/GaN HEMT材料特性及工作机理
2.1 GaN材料特性及生长工艺
2.2 AlGaN/GaN HEMT器件结构特性和导电性能
2.3 AlGaN/GaN HEMT功率器件自热效应
2.4 本章小结
第三章 AlGaN/GaN HEMT等效电路模型研究
3.1 等效电路模型简述
3.2 AlGaN/GaN HEMT小信号等效电路
3.3 AlGaN/GaN HEMT大信号等效电路
3.4 本章小结
第四章 改进的KNN算法在GaN功率器件建模中的应用
4.1 KNN算法理论基础
4.2 AlGaN/GaN HEMT功率器件黑盒子表格模型
4.3 本章小结
第五章X参数提取Volterra级数用于放大器建模
5.1 X参数简介
5.2 Volterra级数理论基础
5.3 X参数提取Volterra级数的方法
5.4 放大器输出特性预测
5.5 本章小结
第六章 等效电路模型为基础的GaN高效率功率放大器设计
6.1 功率放大器工作类型简介
6.2 AB类功率放大器的设计与测试
6.3 基于谐波调制技术的功率放大器设计与测试
6.4本章小结
第七章 总结与展望
一、论文的主要工作和主要创新点:
二、对未来工作的展望
致谢
参考文献
读博期间发表的论文
附录