Power amplifiers; Bonding; Wires; Gallium nitride; Power generation; Aluminum gallium nitride; Wide band gap semiconductors;
机译:内部匹配的14.2 W / mm AlGaN / GaN HEMT,用于X波段应用
机译:X波段反向F类GaN内部匹配功率放大器
机译:适用于X波段相位阵列雷达应用的完全匹配的9 W紧凑型便携式MMIC高功率放大器
机译:键合线阵列的建模及其在120 W X波段内部匹配AlGaN / GaN功率放大器的设计中的应用
机译:使用AlGaN / GaN HEMT的大功率,宽带微波F类功率放大器的设计
机译:适用于2.5 GHz至6 GHz干扰器系统的紧凑型20W GaN内部匹配功率放大器
机译:s.i上的微带X波段AlGaN / GaN功率放大器MMIC SiC基板
机译:基于GaN / alGaN p-i-n光电二极管的紫外焦平面阵列开发的倒装芯片键合设备。