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陈堂胜; 张斌; 任春江; 焦刚; 郑维彬; 陈辰;
南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室;
X波段; AlGaN/GaN; 高电子迁移率晶体管; 功率MMIC;
机译:AlGaN / GaN HEMT的可扩展大信号多谐波模型及其在C波段大功率放大器MMIC中的应用
机译:使用100 nm AlGaN / GaN双栅极HEMT的V波段应用的高增益大功率放大器MMIC
机译:用于高功率Ku波段卫星通信的GaN HEMT MMIC和内部匹配的GaN HEMT的扩展阵容
机译:基于AlGaN / GaN HEMT技术的宽带E波段功率放大器MMIC,输出功率为30 dBm
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:0.1μmAlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的改进大信号模型及其在W波段实用单片微波集成电路(MMIC)设计中的应用
机译:Ka波段AlGaN / GaN HEMT高功率和驱动器放大器MMIC
机译:高功率,高效率sspas中siC和蓝宝石mmIC上微波alGaN / GaN HEmT的沟道温度模型
机译:降低AlGaN / GaN HEMT的栅极漏电流的AlGaN / GaN HEMT方法
机译:形成栅极应力的方法,制造AlGaN / GaN-HEMT的方法以及ALGaN / GaN-HEMT
机译:形成栅极电极的方法,制造AlGaN / GaN-HEMT的方法以及ALGaN / GaN-HEMT的方法
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